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    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~150℃
    连续漏极电流: 6A
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:1100+
    商品信息
    参数
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FCD600N65S3R0 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD600N65S3R0 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD600N65S3R0

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4.5V@600µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF6N90K5 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STF6N90K5 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF6N90K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:5V@100µA

    包装方式:管件

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1Ω@3A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU80R900P7AKMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU80R900P7AKMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU80R900P7AKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:3.5V@110µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@500V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCU600N65S3R0 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCU600N65S3R0 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCU600N65S3R0

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4.5V@600µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:465pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.95W€10W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R660CFDXKSA2 起订418个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R660CFDXKSA2 起订418个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA65R660CFDXKSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:4.5V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:615pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:660mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL6N2VH5 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STL6N2VH5 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL6N2VH5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@16V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3420 起订28个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3420 起订28个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3420

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068LK3-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068LK3-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6068LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.12W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:502pF@30V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA80R900P7XKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA80R900P7XKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA80R900P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:3.5V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@500V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP6N40D-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:311pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA037N08LC 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA037N08LC 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA037N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2.5V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:595pF@40V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:36.5mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP06N80C3XKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP06N80C3XKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPP06N80C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.9V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:785pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA95R1K2P7XKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA95R1K2P7XKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA95R1K2P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27W

    阈值电压:3.5V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:478pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.7A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.25W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL6N2VH5 起订3000个装
    ST Mosfet场效应管 STL6N2VH5 起订3000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL6N2VH5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@16V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R900P7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R900P7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R900P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:3.5V@110µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@500V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH6N120 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH6N120 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH6N120

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:5V@2.5mA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6Ω@3A,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R280CFD7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R280CFD7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R280CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:4.5V@180µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:807pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB6NK60ZT4 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB6NK60ZT4 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB6NK60ZT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:905pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA06N80C3XKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA06N80C3XKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPA06N80C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:3.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:785pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6402LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU80R900P7AKMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU80R900P7AKMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU80R900P7AKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:3.5V@110µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@500V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD7N80K5 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD7N80K5 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD7N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:13.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP8N120K5 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP8N120K5 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP8N120K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:130W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:13.7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:505pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2.5A,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP6NK60ZFP 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STP6NK60ZFP 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP6NK60ZFP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:905pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6402LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF600N65S3R0L-F154 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF600N65S3R0L-F154 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF600N65S3R0L-F154

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:4.5V@120µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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