采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL050N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：378W
阈值电压：5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5017pF@400V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL050N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1.7mA
栅极电荷：119nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4880pF@400V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL050N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1.7mA
栅极电荷：119nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4880pF@400V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA14DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€31.2W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL050N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1.7mA
栅极电荷：119nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4880pF@400V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL050N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1.7mA
栅极电荷：119nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4880pF@400V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA14DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€31.2W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA14DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€31.2W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA14DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€31.2W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA14DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€31.2W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA14DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€31.2W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA14DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€31.2W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL050N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：378W
阈值电压：5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5017pF@400V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL050N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：378W
阈值电压：5V@1.7mA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5017pF@400V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL050N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：378W
阈值电压：5V@1.7mA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5017pF@400V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL050N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：378W
阈值电压：5V@1.7mA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5017pF@400V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL050N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：378W
阈值电压：5V@1.7mA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5017pF@400V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL050N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：378W
阈值电压：5V@1.7mA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5017pF@400V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@29A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APL502LG
工作温度：-55℃~150℃
功率：730W
阈值电压：4V@2.5mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：9000pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@29A，12V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7884BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.6W€46W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3540pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT50M65JFLL
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7010pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@29A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA14DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€31.2W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
