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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8812DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN335N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202N L6327
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@30µA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：Reel
输入电容：1147pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS205NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：419pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：6000，"15+"：1695}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSD816SNH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@3.7µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN339AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN335N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：162pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS806NEH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD15380F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.35V@2.5µA
栅极电荷：0.281nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.5pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1190mΩ@100mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS806NEH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@11µA
栅极电荷：1.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS806NEH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS806NEH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2250UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：94pF@16V
连续漏极电流：1.35A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2075UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：162pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS816NWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@3.7µA
栅极电荷：0.6nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2300UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7µA
栅极电荷：0.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR802NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@30µA
栅极电荷：4.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1447pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@3.7A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFB4-7R
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7µA
栅极电荷：0.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2300UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2300UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：162pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：162pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2300UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：162pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
