采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS64DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS26DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：25185，"12+"：3000，"13+"：675，"14+"：326825，"15+"：75，"18+"：13350，"9999"：75}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD02N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：274pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LCDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@40V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@22A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS28DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.52mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS10DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS98DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@100V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1590，"22+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC008N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：20，"18+"：20，"21+"：1027，"22+"：3204，"23+"：11315，"24+"：15000，"MI+"：5915}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS28DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.52mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC520N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：25185，"12+"：3000，"13+"：675，"14+"：326825，"15+"：75，"18+"：13350，"9999"：75}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD02N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：274pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS28DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.52mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：25185，"12+"：3000，"13+"：675，"14+"：326825，"15+"：75，"18+"：13350，"9999"：75}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD02N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：274pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ520N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LCDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@130µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@40V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@22A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ520N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LCDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@40V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@22A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ520N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS10DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1590，"22+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC008N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS28DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.52mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
