销售单位:个
规格型号(MPN):AO4430
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7270pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16410Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@12.5V
连续漏极电流:16A€59A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@17A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4430
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7270pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16412Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@12.5V
连续漏极电流:14A€52A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4430
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7270pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17307Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€73A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@11A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17307Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€73A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@11A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16340Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:9.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@12.5V
连续漏极电流:21A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16404Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@12.5V
连续漏极电流:21A€81A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17527Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:0609
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@6.3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17302Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:16A€87A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@14A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17302Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.7V@250µA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:16A€87A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@14A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17307Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€73A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@11A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17510Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@15V
连续漏极电流:20A€100A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1NK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17522Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:695pF@15V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16342Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@12.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16327Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:8.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@12.5V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@24A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7080pF@15V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:1.28mΩ@37A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@15V
连续漏极电流:13A€65A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16342Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@12.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4310GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:1.67A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4312,"22+":21701}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT3612
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: