采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R099C7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1819pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N60DM6
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：607pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：338mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R099C7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@490µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1819pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB6NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：365mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD9N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N60M6
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：16.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11NK40ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4.5A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N60M2-EP
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：378mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：718pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：241}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB13N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N60DM6
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：607pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：338mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R099C7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1819pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N60M6
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：16.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N60M6
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：16.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11NK40ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4.5A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
