品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNELYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13202Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@6V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNELYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13202Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@6V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17304Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:955pF@15V
连续漏极电流:15A€56A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNELYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8012LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17304Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:955pF@15V
连续漏极电流:15A€56A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13202Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@6V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16411Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@12.5V
连续漏极电流:14A€56A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16411Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@12.5V
连续漏极电流:14A€56A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17304Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:955pF@15V
连续漏极电流:15A€56A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17304Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:955pF@15V
连续漏极电流:15A€56A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13202Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@6V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13202Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@6V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13202Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@6V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16406Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@12.5V
连续漏极电流:19A€60A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNELYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNELYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17304Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:955pF@15V
连续漏极电流:15A€56A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16406Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@12.5V
连续漏极电流:19A€60A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16406Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@12.5V
连续漏极电流:19A€60A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13202Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@6V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: