品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19600pF@40V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19600pF@40V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
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连续漏极电流:8A
类型:N沟道
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漏源电压:800V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
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连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@4A,10V
漏源电压:800V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R055CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
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输入电容:3194pF@400V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19600pF@40V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
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输入电容:19600pF@40V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19600pF@40V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
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包装方式:管件
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连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@4A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
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输入电容:19600pF@40V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R055CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@900µA
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包装方式:管件
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连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19600pF@40V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
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输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R055CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@900µA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
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连续漏极电流:164A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:260nC@10V
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
阈值电压:4V@250µA
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ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R055CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@900µA
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包装方式:管件
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连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4V@250µA
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连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19600pF@40V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19600pF@40V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R055CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@900µA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3194pF@400V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R055CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3194pF@400V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R055CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3194pF@400V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: