采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB28N60EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2714pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB40N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB47N60DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB28N60EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2714pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB45N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB47N60DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB40N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB45N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB28N60EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2714pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB40N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB40N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB45N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB160A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB45N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB160A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB160A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB28N60EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2714pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB40N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB40N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB28N60EF-T5-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2714pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB28N60EF-T5-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2714pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：AOB160A60L
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：160mΩ@12A，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
类型：N沟道
阈值电压：3.6V@250µA
输入电容：2340pF@100V
栅极电荷：46nC@10V
连续漏极电流：24A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB160A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB160A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB40N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB40N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB40N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB40N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB45N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
