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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@12A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@12A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@12A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB160A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB160A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB160A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：SIHB24N65EFT1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
类型：N沟道
漏源电压：650V
输入电容：2774pF@100V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：24A
导通电阻：156mΩ@12A，10V
栅极电荷：122nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：AOB160A60L
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：160mΩ@12A，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
类型：N沟道
阈值电压：3.6V@250µA
输入电容：2340pF@100V
栅极电荷：46nC@10V
连续漏极电流：24A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@12A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB160A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB160A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@12A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@12A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
