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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP86R203NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TP86R203NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH6R003NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€34W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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功率：1.6W€34W
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连续漏极电流：38A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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功率：1W
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输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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功率：1.6W€34W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
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功率：1W
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栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN6R003NL，LQ
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功率：700mW€32W
阈值电压：2.3V@200µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：TP86R203NL，LQ
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功率：1W
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输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：TPH6R003NL，LQ
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功率：1.6W€34W
阈值电压：2.3V@200µA
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栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：38A
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功率：1W
阈值电压：2.3V@200µA
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栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：TPN6R003NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€32W
阈值电压：2.3V@200µA
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栅极电荷：17nC@10V
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输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@13.5A，10V
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连续漏极电流：27A
类型：N沟道
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功率：700mW€32W
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栅极电荷：17nC@10V
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输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
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工作温度：150℃
功率：700mW€32W
阈值电压：2.3V@200µA
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栅极电荷：17nC@10V
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输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：150℃
功率：700mW€32W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP86R203NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP86R203NL，LQ
阈值电压：2.3V@200µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：1400pF@15V
工作温度：150℃
栅极电荷：17nC@10V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
功率：1W
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH6R003NL，LQ
阈值电压：2.3V@200µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：1400pF@15V
工作温度：150℃
功率：1.6W€34W
栅极电荷：17nC@10V
导通电阻：6mΩ@19A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：38A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH6R003NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€34W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP86R203NL，LQ
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP86R203NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@9A，10V
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