采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA4N70X2
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：386pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@2A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTU4N70X2
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：386pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@2A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTU4N70X2
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：386pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@2A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10Q60W，S1VQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：3.7V@500µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA4N70X2
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：386pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@2A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTU4N70X2
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：386pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@2A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA4N70X2
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：386pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@2A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：70psc
规格型号(MPN)：IXTU4N70X2
阈值电压：4.5V@250µA
连续漏极电流：4A
工作温度：150℃
输入电容：386pF@25V
导通电阻：850mΩ@2A，10V
类型：N沟道
漏源电压：700V
功率：80W
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：3.5V@300µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@300V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8Q60W，S1VQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：3.7V@400µA
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：3.5V@300µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@300V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：3.5V@300µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@300V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：3.5V@300µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@300V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA4N70X2
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：386pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@2A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：3.5V@300µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@300V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：3.5V@300µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@300V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
