品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60Z
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW36NM60ND
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2785pF@50V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N60DM2
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:80W
阈值电压:3.7V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076ENZ1C9
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@44.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB28NM60ND
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:62.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK31V60X,LQ
工作温度:150℃
功率:240W
阈值电压:3.5V@1.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@300V
连续漏极电流:30.8A
类型:N沟道
导通电阻:98mΩ@9.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13NM60ND
工作温度:150℃
功率:109W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015ANX
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":446}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4125
工作温度:150℃
功率:2.5W€170W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:托盘
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004END3TL1
工作温度:150℃
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:80W
阈值电压:3.7V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004CNDTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020FNJTL
工作温度:150℃
功率:304W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030ENZ4C13
工作温度:150℃
功率:305W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ(S
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:3.7V@600µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK2P60D(TE16L1,NQ)
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":10471}
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4087LS
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW55NM60ND
工作温度:150℃
功率:350W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5800pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@360µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB13NM60N
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK62N60W,S1VF
工作温度:150℃
功率:400W
阈值电压:3.7V@3.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@300V
连续漏极电流:61.8A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@30.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK16E60W,S1VX
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:3.7V@790µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@300V
连续漏极电流:15.8A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: