采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：17001}
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：465mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI04048
工作温度：150℃
功率：3.1W€59W
阈值电压：2.5V@650µA
栅极电荷：35.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@35.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8420-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1186，"15+"：3361，"16+"：186672，"21+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8420-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8420-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：17001}
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：465mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8420-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8420-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8420-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH14006NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€32W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@30V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8420-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI03061
工作温度：150℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2.5V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI03061
工作温度：150℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2.5V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1186，"15+"：3361，"16+"：186672，"21+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8420-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP19NM50N
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI03061
工作温度：150℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2.5V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI03061
工作温度：150℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2.5V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8420-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8420-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH14006NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€32W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@30V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
