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    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF45N65M5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STF45N65M5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF45N65M5

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3375pF@100V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:78mΩ@19.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENJTL 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENJTL 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6024ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6004CNDTL 起订7个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6004CNDTL 起订7个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6004CNDTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6011ENX 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6011ENX 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6011ENX

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:390mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP202-TL-H 起订919个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP202-TL-H 起订919个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":2299,"13+":2925,"15+":2599,"19+":18000,"20+":9868,"9999":2373}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP202-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF45N65M5 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STF45N65M5 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF45N65M5

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3375pF@100V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:78mΩ@19.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 ZDX050N50 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 ZDX050N50 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZDX050N50

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.4V@1mA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5A65D(STA4,Q,M) 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5A65D(STA4,Q,M) 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK5A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.43Ω@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3564(STA4,Q,M) 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3564(STA4,Q,M) 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3564(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK16A60W,S4VX 起订4个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK16A60W,S4VX 起订4个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK16A60W,S4VX

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:3.7V@790µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@300V

    连续漏极电流:15.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@7.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03CP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03CP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM090N03CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF42N60M2-EP 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STF42N60M2-EP 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF42N60M2-EP

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2370pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:87mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF42N60M2-EP 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STF42N60M2-EP 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF42N60M2-EP

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2370pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:87mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK13A65U(STA4,Q,M) 起订2500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK13A65U(STA4,Q,M) 起订2500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK13A65U(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6009ENJTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6009ENJTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6009ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:535mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENJTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENJTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6024ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03ECP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03ECP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENJTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENJTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6024ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03ECP ROG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03ECP ROG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8010ANX 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8010ANX 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8010ANX

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1750pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6011ENJTL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6011ENJTL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6011ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:390mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENJTL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENJTL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6024ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP202-TL-H 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP202-TL-H 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":2299,"13+":2925,"15+":2599,"19+":18000,"20+":9868,"9999":2373}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP202-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R5007ANX 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R5007ANX 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R5007ANX

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@3.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R5007FNX 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R5007FNX 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R5007FNX

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@3.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF42N60M2-EP 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STF42N60M2-EP 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF42N60M2-EP

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2370pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:87mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF45N65M5 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STF45N65M5 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF45N65M5

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3375pF@100V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:78mΩ@19.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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