品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:80 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC604P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:1.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1926 pF @ 10 V
连续漏极电流:5.5A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:33 毫欧 @ 5.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:80 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750 pF @ 15 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH24P20
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:150 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:4200 pF @ 25 V
连续漏极电流:24A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:150 毫欧 @ 500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750 pF @ 15 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3835}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:5W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:13 毫欧 @ 10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:95 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000 pF @ 25 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2919}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750 pF @ 15 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP17P06
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:79W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:17A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:120 毫欧 @ 8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":694}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFP9530
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:66W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1035 pF @ 25 V
连续漏极电流:10.5A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:300 毫欧 @ 5.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT456P
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
功率:3W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440 pF @ 15 V
连续漏极电流:7.5A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":20891}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC080P03LSGAUMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),89W(Tc)
阈值电压:2.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122.4 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6140 pF @ 15 V
连续漏极电流:16A(Ta),30A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:8 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ415EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000 pF @ 25 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:14 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT456P
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
功率:3W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:67 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440 pF @ 15 V
连续漏极电流:7.5A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH20P50P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:460W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:103 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:5120 pF @ 25 V
连续漏极电流:20A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:450 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP17P06
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:79W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:27 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:17A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:120 毫欧 @ 8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:80 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN170P10P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:890W(Tc)
阈值电压:4V @ 1mA
栅极电荷:240 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:12600 pF @ 25 V
连续漏极电流:170A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP17P06
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:79W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:27 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:17A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:120 毫欧 @ 8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP76P10T
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:298W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:197 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:13700 pF @ 25 V
连续漏极电流:76A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:25 毫欧 @ 38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PN5033
功率:20V
包装方式:散装
连续漏极电流:20V
类型:P 通道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT456P
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
功率:3W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:67 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440 pF @ 15 V
连续漏极电流:7.5A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH8P50
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:180W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:130 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3400 pF @ 25 V
连续漏极电流:8A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:1.2 欧姆 @ 4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC604P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:1.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1926 pF @ 10 V
连续漏极电流:5.5A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:33 毫欧 @ 5.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK170P10P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:890W(Tc)
阈值电压:4V @ 1mA
栅极电荷:240 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:12600 pF @ 25 V
连续漏极电流:170A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMFTP5618
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:3V @ 1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:361 pF @ 30 V
连续漏极电流:1.25A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:170 毫欧 @ 1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: