品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta),3.3W(Tc)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:45 nC @ 8 V
输入电容:1300 pF @ 10 V
连续漏极电流:6A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:38 毫欧 @ 5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:270mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:0.622 nC @ 4.5 V
输入电容:59.76 pF @ 16 V
连续漏极电流:460mA(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:700 毫欧 @ 350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ197PZ
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.9W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:25 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1570 pF @ 10 V
连续漏极电流:3.8A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:64 毫欧 @ 2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:750mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:19 nC @ 4.5 V
输入电容:1020 pF @ 10 V
连续漏极电流:3.7A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:39 毫欧 @ 4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:750mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:19 nC @ 4.5 V
输入电容:1020 pF @ 10 V
连续漏极电流:3.7A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:39 毫欧 @ 4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:750mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:19 nC @ 4.5 V
输入电容:1020 pF @ 10 V
连续漏极电流:3.7A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:39 毫欧 @ 4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ197PZ
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.9W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:25 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1570 pF @ 10 V
连续漏极电流:3.8A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:64 毫欧 @ 2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:2.4W(Tc)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:4.8 nC @ 4.5 V
输入电容:510 pF @ 10 V
连续漏极电流:4A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:100 毫欧 @ 2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:1.6W(Tc)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:4.8 nC @ 4.5 V
输入电容:510 pF @ 10 V
连续漏极电流:3A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:100 毫欧 @ 1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS3A18PZTXG
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:700mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:28 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240 pF @ 15 V
连续漏极电流:5A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:18 毫欧 @ 7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":455050}
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23201W10
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325 pF @ 6 V
连续漏极电流:2.2A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:82 毫欧 @ 500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3493DDV-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.6W(Tc)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:30 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1825 pF @ 10 V
连续漏极电流:8A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:24 毫欧 @ 7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A40PZTAG
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:700mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:29 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600 pF @ 15 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:29 毫欧 @ 6.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA461DJ-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.4W(Ta),17.9W(Tc)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:45 nC @ 8 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300 pF @ 10 V
连续漏极电流:12A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:33 毫欧 @ 5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.1W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
输入电容:1490 pF @ 10 V
连续漏极电流:6A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta),3.3W(Tc)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:45 nC @ 8 V
输入电容:1300 pF @ 10 V
连续漏极电流:6A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:38 毫欧 @ 5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.1W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490 pF @ 10 V
连续漏极电流:6A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.1W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490 pF @ 10 V
连续漏极电流:6A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.1W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490 pF @ 10 V
连续漏极电流:6A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.1W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
输入电容:1490 pF @ 10 V
连续漏极电流:6A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.1W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
输入电容:1490 pF @ 10 V
连续漏极电流:6A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.1W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
输入电容:1490 pF @ 10 V
连续漏极电流:6A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.25W(Ta),2.5W(Tc)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:25 nC @ 4.5 V
输入电容:1090 pF @ 10 V
连续漏极电流:4.6A(Ta),6A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:39 毫欧 @ 4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.1W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
输入电容:1490 pF @ 10 V
连续漏极电流:6A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.1W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490 pF @ 10 V
连续漏极电流:6A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.1W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490 pF @ 10 V
连续漏极电流:6A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013T-7
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:270mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.622 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76 pF @ 16 V
连续漏极电流:460mA(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:700 毫欧 @ 350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.1W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490 pF @ 10 V
连续漏极电流:6A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
类型:P 通道
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
功率:2.1W(Ta)
连续漏极电流:6A(Ta)
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
阈值电压:1V @ 250µA
输入电容:1490 pF @ 10 V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
类型:P 通道
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
功率:2.1W(Ta)
连续漏极电流:6A(Ta)
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
阈值电压:1V @ 250µA
输入电容:1490 pF @ 10 V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: