采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2919}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：20 nC @ 5 V
连续漏极电流：5.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30 毫欧 @ 7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：20 nC @ 5 V
连续漏极电流：5.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30 毫欧 @ 7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：20 nC @ 5 V
连续漏极电流：5.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30 毫欧 @ 7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：20 nC @ 5 V
连续漏极电流：5.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30 毫欧 @ 7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750 pF @ 15 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1.5W（Ta）
类型：P 通道
漏源电压：30V
栅极电荷：100 nC @ 10 V
连续漏极电流：8.8A（Ta）
导通电阻：12 毫欧 @ 11.4A，10V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
阈值电压：3V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
类型：P 通道
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：100 毫欧 @ 5.2A，10V
功率：1.56W（Ta）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
输入电容：950 pF @ 25 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
ECCN：EAR99
栅极电荷：38 nC @ 10 V
阈值电压：3V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC4435BZ-F127-L701
类型：P 通道
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：20 毫欧 @ 8.5A，10V
连续漏极电流：8.5A（Ta），18A（Tc）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.3W（Ta），31W（Tc）
ECCN：EAR99
栅极电荷：53 nC @ 10 V
输入电容：2045 pF @ 15 V
阈值电压：3V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1.5W（Ta）
类型：P 通道
漏源电压：30V
栅极电荷：100 nC @ 10 V
连续漏极电流：8.8A（Ta）
导通电阻：12 毫欧 @ 11.4A，10V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
阈值电压：3V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
