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    品牌: VISHAY
    类型: P 通道
    阈值电压: 3V @ 250µA
    当前匹配商品:10+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.5W(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:20 nC @ 5 V

    连续漏极电流:5.7A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:30 毫欧 @ 7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.5W(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:20 nC @ 5 V

    连续漏极电流:5.7A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:30 毫欧 @ 7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.5W(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:20 nC @ 5 V

    连续漏极电流:5.7A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:30 毫欧 @ 7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.5W(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:20 nC @ 5 V

    连续漏极电流:5.7A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:30 毫欧 @ 7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.3W(Tc)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:12 nC @ 10 V

    输入电容:350 pF @ 30 V

    连续漏极电流:2.9A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:216 毫欧 @ 2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.14W(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:30 nC @ 10 V

    连续漏极电流:5A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:30 毫欧 @ 6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.5W(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:100 nC @ 10 V

    连续漏极电流:8.8A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:12 毫欧 @ 11.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.3W(Tc)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:12 nC @ 10 V

    输入电容:350 pF @ 30 V

    连续漏极电流:2.9A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:216 毫欧 @ 2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.3W(Tc)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:12 nC @ 10 V

    输入电容:350 pF @ 30 V

    连续漏极电流:2.9A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:216 毫欧 @ 2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.5W(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:100 nC @ 10 V

    连续漏极电流:8.8A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:12 毫欧 @ 11.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3127DV-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3127DV-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2W(Ta),4.2W(Tc)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:30 nC @ 10 V

    输入电容:833 pF @ 20 V

    连续漏极电流:3.5A(Ta),13A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:89 毫欧 @ 1.5A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.5W(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:100 nC @ 10 V

    连续漏极电流:8.8A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:12 毫欧 @ 11.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA469DJ-T1-GE3 起订数3000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA469DJ-T1-GE3 起订数3000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:15.6W(Tc)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:15 nC @ 4.5 V

    输入电容:1020 pF @ 15 V

    连续漏极电流:12A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:26.5 毫欧 @ 5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.3W(Tc)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:12 nC @ 10 V

    输入电容:350 pF @ 30 V

    连续漏极电流:2.9A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:216 毫欧 @ 2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:1.5W(Ta)

    类型:P 通道

    漏源电压:30V

    栅极电荷:100 nC @ 10 V

    连续漏极电流:8.8A(Ta)

    导通电阻:12 毫欧 @ 11.4A,10V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    阈值电压:3V @ 250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3127DV-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3127DV-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    连续漏极电流:3.5A(Ta),13A(Tc)

    类型:P 通道

    功率:2W(Ta),4.2W(Tc)

    导通电阻:89 毫欧 @ 1.5A,4.5V

    输入电容:833 pF @ 20 V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:30 nC @ 10 V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:1.5W(Ta)

    类型:P 通道

    漏源电压:30V

    栅极电荷:100 nC @ 10 V

    连续漏极电流:8.8A(Ta)

    导通电阻:12 毫欧 @ 11.4A,10V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    阈值电压:3V @ 250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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