品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ457EP-T2_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ457EP-T2_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ457EP-T2_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ457EP-T2_GE3
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:25mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
输入电容:3400pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.5W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:100 nC @ 10 V
连续漏极电流:8.8A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 11.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.5W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:100 nC @ 10 V
连续漏极电流:8.8A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 11.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.5W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:100 nC @ 10 V
连续漏极电流:8.8A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 11.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:1.5W(Ta)
类型:P 通道
漏源电压:30V
栅极电荷:100 nC @ 10 V
连续漏极电流:8.8A(Ta)
导通电阻:12 毫欧 @ 11.4A,10V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
阈值电压:3V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:1.5W(Ta)
类型:P 通道
漏源电压:30V
栅极电荷:100 nC @ 10 V
连续漏极电流:8.8A(Ta)
导通电阻:12 毫欧 @ 11.4A,10V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
阈值电压:3V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: