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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ197PZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.9W（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：25 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.8A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：64 毫欧 @ 2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ197PZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.9W（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：25 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.8A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：64 毫欧 @ 2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.25W（Ta），2.5W（Tc）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：25 nC @ 4.5 V
输入电容：1090 pF @ 10 V
连续漏极电流：4.6A（Ta），6A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：39 毫欧 @ 4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
