品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:270mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:0.622 nC @ 4.5 V
输入电容:59.76 pF @ 16 V
连续漏极电流:460mA(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:700 毫欧 @ 350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ197PZ
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.9W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:25 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1570 pF @ 10 V
连续漏极电流:3.8A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:64 毫欧 @ 2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:750mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:19 nC @ 4.5 V
输入电容:1020 pF @ 10 V
连续漏极电流:3.7A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:39 毫欧 @ 4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:750mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:19 nC @ 4.5 V
输入电容:1020 pF @ 10 V
连续漏极电流:3.7A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:39 毫欧 @ 4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:750mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:19 nC @ 4.5 V
输入电容:1020 pF @ 10 V
连续漏极电流:3.7A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:39 毫欧 @ 4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ197PZ
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.9W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:25 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1570 pF @ 10 V
连续漏极电流:3.8A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:64 毫欧 @ 2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
类型:P 通道
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
功率:2.1W(Ta)
连续漏极电流:6A(Ta)
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
阈值电压:1V @ 250µA
输入电容:1490 pF @ 10 V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
类型:P 通道
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
功率:2.1W(Ta)
连续漏极电流:6A(Ta)
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
阈值电压:1V @ 250µA
输入电容:1490 pF @ 10 V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
类型:P 通道
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V
功率:2.1W(Ta)
连续漏极电流:6A(Ta)
栅极电荷:22 nC @ 4.5 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
阈值电压:1V @ 250µA
输入电容:1490 pF @ 10 V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: