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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:4.2W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    输入电容:970 pF @ 20 V

    连续漏极电流:7.2A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:45 毫欧 @ 5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:4.2W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    输入电容:970 pF @ 20 V

    连续漏极电流:7.2A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:45 毫欧 @ 5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数50个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数50个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:4.2W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    输入电容:970 pF @ 20 V

    连续漏极电流:7.2A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:45 毫欧 @ 5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数25个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数25个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:4.2W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    输入电容:970 pF @ 20 V

    连续漏极电流:7.2A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:45 毫欧 @ 5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXP013-30QLJ 起订250个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXP013-30QLJ 起订250个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXP013-30QLJ

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.7W(Ta),40W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:50.1 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650 pF @ 15 V

    连续漏极电流:8.6A(Ta),42.5A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:13.3 毫欧 @ 8.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001 起订数2000个
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001 起订数2000个

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2W(Ta),30W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:15 nC @ 4.5 V

    输入电容:1730 pF @ 15 V

    连续漏极电流:9.8A(Ta),35A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:15.5 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-BE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-BE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),32.1W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:34.8 nC @ 10 V

    输入电容:1055 pF @ 50 V

    连续漏极电流:8.8A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:195 毫欧 @ 3.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4151DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4151DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4151DY-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.1W(Ta),5.6W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:87 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250 pF @ 15 V

    连续漏极电流:15.2A(Ta),20.5A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:7.5 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-BE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-BE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),32.1W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:34.8 nC @ 10 V

    输入电容:1055 pF @ 50 V

    连续漏极电流:8.8A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:195 毫欧 @ 3.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-BE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-BE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),32.1W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:34.8 nC @ 10 V

    输入电容:1055 pF @ 50 V

    连续漏极电流:8.8A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:195 毫欧 @ 3.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-BE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-BE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),32.1W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:34.8 nC @ 10 V

    输入电容:1055 pF @ 50 V

    连续漏极电流:8.8A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:195 毫欧 @ 3.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001 起订数2000个
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001 起订数2000个

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2W(Ta),30W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:15 nC @ 4.5 V

    输入电容:1730 pF @ 15 V

    连续漏极电流:9.8A(Ta),35A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:15.5 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-BE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-BE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    连续漏极电流:8.8A(Tc)

    功率:2.5W(Ta),32.1W(Tc)

    输入电容:1055 pF @ 50 V

    类型:P 通道

    栅极电荷:34.8 nC @ 10 V

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    漏源电压:100V

    导通电阻:195 毫欧 @ 3.6A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

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