品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTB50N120FL2WG
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:282ns
反向恢复时间:256ns
关断损耗:1.4mJ
开启延迟时间:118ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:311nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:4.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTB50N120FL2WG
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:282ns
反向恢复时间:256ns
关断损耗:1.4mJ
开启延迟时间:118ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:311nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:4.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
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行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTB50N120FL2WG
集电极脉冲电流(Icm):200A
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
开启延迟时间:118ns
集电极截止电流(Ices):1200V
反向恢复时间:256ns
导通损耗:4.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
栅极电荷:311nC
关断损耗:1.4mJ
关断延迟时间:282ns
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
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