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    类型: 沟槽型场截止
    行业应用: 汽车
    反向恢复时间: 256ns
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    onsemi IGBT NGTB50N120FL2WG 起订1个装
    onsemi IGBT NGTB50N120FL2WG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):NGTB50N120FL2WG

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):200A

    关断延迟时间:282ns

    反向恢复时间:256ns

    关断损耗:1.4mJ

    开启延迟时间:118ns

    集电极截止电流(Ices):1200V

    栅极电荷:311nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A

    导通损耗:4.4mJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT NGTB50N120FL2WG 起订100个装
    onsemi IGBT NGTB50N120FL2WG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):NGTB50N120FL2WG

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):200A

    关断延迟时间:282ns

    反向恢复时间:256ns

    关断损耗:1.4mJ

    开启延迟时间:118ns

    集电极截止电流(Ices):1200V

    栅极电荷:311nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A

    导通损耗:4.4mJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

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    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):NGTB50N120FL2WG

    集电极脉冲电流(Icm):200A

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A

    开启延迟时间:118ns

    集电极截止电流(Ices):1200V

    反向恢复时间:256ns

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    栅极电荷:311nC

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    包装方式:管件

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