采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGW30M65DF2
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：115ns
反向恢复时间：140ns
关断损耗：960µJ
开启延迟时间：31.6ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：80nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，30A
导通损耗：300µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKW50N60H3FKSA1
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：235ns
反向恢复时间：130ns
关断损耗：2.36mJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：315nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，50A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGW30H65FB
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：146ns
关断损耗：293µJ
开启延迟时间：37ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：149nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，30A
导通损耗：151µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGF5H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：20A
关断延迟时间：140ns
反向恢复时间：134.5ns
关断损耗：78.5µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：43nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，5A
导通损耗：56µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP5H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：20A
关断延迟时间：140ns
反向恢复时间：134.5ns
关断损耗：78.5µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：43nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，5A
导通损耗：56µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKY140N120CH7XKSA1
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：560A
关断延迟时间：407ns
反向恢复时间：101ns
关断损耗：3.9mJ
开启延迟时间：50ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：1032nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.15V@15V，140A
导通损耗：2.64mJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGW100N60H3FKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：265ns
关断损耗：1.9mJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：625nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，100A
导通损耗：3.7mJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT75GN120JDQ3
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：4.8nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：80950，"MI+"：1800}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGHL50T65MQD
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：32ns
关断损耗：700µJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：94nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.8V@15V，50A
导通损耗：1.05mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：9000}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH75T65SQDTL4
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：276ns
反向恢复时间：76ns
关断损耗：266µJ
开启延迟时间：44ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：128nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：307µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGW30M65DF2
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：115ns
反向恢复时间：140ns
关断损耗：960µJ
开启延迟时间：31.6ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：80nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，30A
导通损耗：300µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB50N65FL2WG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：237ns
反向恢复时间：94ns
关断损耗：460µJ
开启延迟时间：100ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：220nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，50A
导通损耗：1.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKW40N65ET7XKSA1
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：310ns
反向恢复时间：85ns
关断损耗：590µJ
开启延迟时间：20ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：235nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.65V@15V，40A
导通损耗：1.05mJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGS50TSX2HRC11
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：140ns
关断损耗：1.65mJ
开启延迟时间：37ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：67nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，25A
导通损耗：1.4mJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGHL40T65MQDT
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：75ns
反向恢复时间：86ns
关断损耗：490µJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：80nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.8V@15V，40A
导通损耗：880µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKW60N60H3FKSA1
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：180A
关断延迟时间：252ns
反向恢复时间：143ns
关断损耗：1.13mJ
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：375nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，60A
导通损耗：2.1mJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKW15N120CS7XKSA1
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：45A
关断延迟时间：170ns
反向恢复时间：135ns
关断损耗：700µJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：95nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，15A
导通损耗：750µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGY160T65SPD-F085
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：480A
关断延迟时间：98ns
反向恢复时间：132ns
关断损耗：5.7mJ
开启延迟时间：53ns
集电极截止电流(Ices)：650V
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.05V@15V，160A
导通损耗：12.4mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGYA120M65DF2AG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：360A
关断延迟时间：185ns
反向恢复时间：202ns
关断损耗：4.41mJ
开启延迟时间：66ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：420nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.15V@15V，120A
导通损耗：1.8mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGF15H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：60A
关断延迟时间：118ns
反向恢复时间：103ns
关断损耗：207µJ
开启延迟时间：24.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：81nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，15A
导通损耗：136µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH40T120SMD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：475ns
反向恢复时间：65ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：370nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，40A
导通损耗：2.7mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKW08N120CS7XKSA1
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：24A
关断延迟时间：160ns
反向恢复时间：130ns
关断损耗：400µJ
开启延迟时间：17ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：52nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，8A
导通损耗：370µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH75T65SQD-F155
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
反向恢复时间：43ns
关断损耗：180µJ
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：128nC
类型：沟槽型场截止
导通损耗：760µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：780}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AFGHL75T65SQDT
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：106ns
反向恢复时间：75ns
关断损耗：1.14mJ
开启延迟时间：24ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：136nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：2.12mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BIDNW30N60H3
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：67ns
反向恢复时间：28ns
关断损耗：450µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：76nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，30A
导通损耗：1.85mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGW30V60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：189ns
反向恢复时间：53ns
关断损耗：233µJ
开启延迟时间：45ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：163nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，30A
导通损耗：383µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGHL50T65SQDT
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：70ns
关断损耗：13µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：99.7nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，50A
导通损耗：223µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"14+"：1200，"17+"：590}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTG15N120FL2WG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：60A
关断延迟时间：128ns
关断损耗：370µJ
开启延迟时间：64ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：109nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，15A
导通损耗：1.2mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH75T65UPD-F085
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：225A
关断延迟时间：166ns
反向恢复时间：85ns
关断损耗：1.2mJ
开启延迟时间：32ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：578nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，75A
导通损耗：2.85mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BIDW20N60T
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：60A
关断延迟时间：48ns
反向恢复时间：33.7ns
关断损耗：300µJ
开启延迟时间：19ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：52nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，20A
导通损耗：1mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
