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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW（Ta）
阈值电压：900mV @ 400µA
栅极电荷：28nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.9A（Ta）
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：21 毫欧 @ 5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW（Ta）
阈值电压：900mV @ 400µA
栅极电荷：28nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.9A（Ta）
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：21 毫欧 @ 5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW（Ta）
阈值电压：900mV @ 400µA
栅极电荷：28nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.9A（Ta）
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：21 毫欧 @ 5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW（Ta）
阈值电压：900mV @ 400µA
栅极电荷：28nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.9A（Ta）
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：21 毫欧 @ 5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW（Ta）
阈值电压：900mV @ 400µA
栅极电荷：28nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.9A（Ta）
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：21 毫欧 @ 5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW（Ta）
阈值电压：900mV @ 400µA
栅极电荷：28nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.9A（Ta）
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：21 毫欧 @ 5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW（Ta）
阈值电压：900mV @ 400µA
栅极电荷：28nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.9A（Ta）
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：21 毫欧 @ 5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW（Ta）
阈值电压：900mV @ 400µA
栅极电荷：28nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.9A（Ta）
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：21 毫欧 @ 5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：21 毫欧 @ 5.8A，4.5V
连续漏极电流：4.9A（Ta）
漏源电压：12V
栅极电荷：28nC @ 4.5V
功率：830mW（Ta）
类型：2 个 P 沟道（双）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
阈值电压：900mV @ 400µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6310P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：700mW
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：5.2nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：337pF @ 10V
连续漏极电流：2.2A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：125 毫欧 @ 2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL308PEH6327XTSA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW
阈值电压：1V @ 11µA
栅极电荷：5nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF @ 15V
连续漏极电流：2A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：80 毫欧 @ 2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：800mW
阈值电压：1.3V @ 250µA
栅极电荷：6nC @ 4.5V
输入电容：435pF @ 10V
连续漏极电流：3A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：120 毫欧 @ 3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：7.8W
阈值电压：1.4V @ 250µA
栅极电荷：25nC @ 8V
连续漏极电流：4.5A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：54 毫欧 @ 3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：7.8W
阈值电压：1.4V @ 250µA
栅极电荷：25nC @ 8V
连续漏极电流：4.5A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：54 毫欧 @ 3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.3W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：24nC @ 4.5V
连续漏极电流：5A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：37 毫欧 @ 7.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2311
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9362TRPBF
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2W
阈值电压：2.4V @ 25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF @ 25V
连续漏极电流：8A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：21 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7913DN-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.3W
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：37 毫欧 @ 7.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：600mW
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.7nC @ 4.5V
输入电容：405pF @ 10V
连续漏极电流：2.6A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：142 毫欧 @ 2.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：800mW
阈值电压：1.3V @ 250µA
栅极电荷：6nC @ 4.5V
输入电容：435pF @ 10V
连续漏极电流：3A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：120 毫欧 @ 3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：600mW
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.7nC @ 4.5V
输入电容：405pF @ 10V
连续漏极电流：2.6A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：142 毫欧 @ 2.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.3W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：24nC @ 4.5V
连续漏极电流：5A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：37 毫欧 @ 7.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：7.8W
阈值电压：1.4V @ 250µA
栅极电荷：25nC @ 8V
连续漏极电流：4.5A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：54 毫欧 @ 3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：7.8W
阈值电压：1.4V @ 250µA
栅极电荷：25nC @ 8V
连续漏极电流：4.5A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：54 毫欧 @ 3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：800mW
阈值电压：1.3V @ 250µA
栅极电荷：6nC @ 4.5V
输入电容：435pF @ 10V
连续漏极电流：3A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：120 毫欧 @ 3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：600mW
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.7nC @ 4.5V
输入电容：405pF @ 10V
连续漏极电流：2.6A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：142 毫欧 @ 2.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：600mW
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.7nC @ 4.5V
输入电容：405pF @ 10V
连续漏极电流：2.6A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：142 毫欧 @ 2.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：600mW
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.7nC @ 4.5V
输入电容：405pF @ 10V
连续漏极电流：2.6A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：142 毫欧 @ 2.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.3W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：24nC @ 4.5V
连续漏极电流：5A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：37 毫欧 @ 7.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：600mW
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.7nC @ 4.5V
输入电容：405pF @ 10V
连续漏极电流：2.6A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：142 毫欧 @ 2.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.3W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：24nC @ 4.5V
连续漏极电流：5A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：37 毫欧 @ 7.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
