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    类型: N 和 P 沟道
    阈值电压: 1.5V @ 250µA
    当前匹配商品:20+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW€340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V€43pF@10V

    连续漏极电流:700mA€700mA€400mA€500mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW€340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V€43pF@10V

    连续漏极电流:700mA€700mA€400mA€500mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW€340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V€43pF@10V

    连续漏极电流:700mA€700mA€400mA€500mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW€340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V€43pF@10V

    连续漏极电流:700mA€700mA€400mA€500mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3590DV-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数50个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数50个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:290mW(Ta),340mW(Tc)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:1.8nC @ 10V,3nC @ 10V

    输入电容:38pF @ 10V,43pF @ 10V

    连续漏极电流:700mA(Ta),700mA(Tc),400mA(Ta),500mA(Tc)

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:390毫欧 @ 700mA,4.5V,850毫欧 @ 400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6321C 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6321C 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:2.3nC @ 5V

    输入电容:50pF @ 10V

    连续漏极电流:680mA,460mA

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:450 毫欧 @ 500mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订数1500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订数1500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订数3000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订数3000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订数750个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订数750个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4105CT2G 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4105CT2G 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:3nC @ 4.5V

    输入电容:46pF @ 20V

    连续漏极电流:630mA,775mA

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:375 毫欧 @ 630mA,4.5V

    漏源电压:20V,8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:290mW(Ta),340mW(Tc)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:1.8nC @ 10V,3nC @ 10V

    输入电容:38pF @ 10V,43pF @ 10V

    连续漏极电流:700mA(Ta),700mA(Tc),400mA(Ta),500mA(Tc)

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:390毫欧 @ 700mA,4.5V,850毫欧 @ 400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数25个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数25个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:290mW(Ta),340mW(Tc)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:1.8nC @ 10V,3nC @ 10V

    输入电容:38pF @ 10V,43pF @ 10V

    连续漏极电流:700mA(Ta),700mA(Tc),400mA(Ta),500mA(Tc)

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:390毫欧 @ 700mA,4.5V,850毫欧 @ 400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    漏源电压:30V

    功率:830mW

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    类型:N 和 P 沟道

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4105CT2G 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4105CT2G 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:270mW

    栅极电荷:3nC @ 4.5V

    输入电容:46pF @ 20V

    导通电阻:375 毫欧 @ 630mA,4.5V

    漏源电压:20V,8V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    连续漏极电流:630mA,775mA

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    类型:N 和 P 沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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