首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NTHC5513T1G 起订8400个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHC5513T1G 起订8400个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHC5513T1G

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.1W

    阈值电压:1.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC @ 4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF @ 10V

    连续漏极电流:2.9A,2.2A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:80 毫欧 @ 2.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6333C 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6333C 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6333C

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:700mW

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:6.6nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF @ 15V

    连续漏极电流:2.5A,2A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:95 毫欧 @ 2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5504BDC-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5504BDC-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5504BDC-T1-E3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.12W,3.1W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:7nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF @ 15V

    连续漏极电流:4A,3.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3590DV-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSD235CH6327XTSA1 起订数1000个
    INFINEON Mosfet场效应管 BSD235CH6327XTSA1 起订数1000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V @ 1.6µA

    栅极电荷:0.34nC @ 4.5V

    输入电容:47pF @ 10V

    连续漏极电流:950mA,530mA

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:350 毫欧 @ 950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG 起订数100个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG 起订数100个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:40W

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:10.3nC @ 4.5V,9.5nC @ 4.5V

    输入电容:1159pF @ 30V,930pF @ 30V

    连续漏极电流:24A(Tc),18A(Tc)

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:34 毫欧 @ 5.4A,10V,68 毫欧 @ 4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5504BDC-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5504BDC-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.12W,3.1W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:7nC @ 10V

    输入电容:220pF @ 15V

    连续漏极电流:4A,3.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5504BDC-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5504BDC-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.12W,3.1W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:7nC @ 10V

    输入电容:220pF @ 15V

    连续漏极电流:4A,3.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数50个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数50个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:290mW(Ta),340mW(Tc)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:1.8nC @ 10V,3nC @ 10V

    输入电容:38pF @ 10V,43pF @ 10V

    连续漏极电流:700mA(Ta),700mA(Tc),400mA(Ta),500mA(Tc)

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:390毫欧 @ 700mA,4.5V,850毫欧 @ 400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6321C 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6321C 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:2.3nC @ 5V

    输入电容:50pF @ 10V

    连续漏极电流:680mA,460mA

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:450 毫欧 @ 500mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订数1500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订数1500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5504BDC-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5504BDC-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.12W,3.1W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:7nC @ 10V

    输入电容:220pF @ 15V

    连续漏极电流:4A,3.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订数3000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订数3000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5504BDC-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5504BDC-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.12W,3.1W

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:7nC @ 10V

    输入电容:220pF @ 15V

    连续漏极电流:4A,3.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订数750个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订数750个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG 起订数500个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG 起订数500个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:40W

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:10.3nC @ 4.5V,9.5nC @ 4.5V

    输入电容:1159pF @ 30V,930pF @ 30V

    连续漏极电流:24A(Tc),18A(Tc)

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:34 毫欧 @ 5.4A,10V,68 毫欧 @ 4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4105CT2G 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4105CT2G 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:3nC @ 4.5V

    输入电容:46pF @ 20V

    连续漏极电流:630mA,775mA

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:375 毫欧 @ 630mA,4.5V

    漏源电压:20V,8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:290mW(Ta),340mW(Tc)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:1.8nC @ 10V,3nC @ 10V

    输入电容:38pF @ 10V,43pF @ 10V

    连续漏极电流:700mA(Ta),700mA(Tc),400mA(Ta),500mA(Tc)

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:390毫欧 @ 700mA,4.5V,850毫欧 @ 400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG 起订数10个
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG 起订数10个

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:40W

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:10.3nC @ 4.5V,9.5nC @ 4.5V

    输入电容:1159pF @ 30V,930pF @ 30V

    连续漏极电流:24A(Tc),18A(Tc)

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:34 毫欧 @ 5.4A,10V,68 毫欧 @ 4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数25个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数25个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:290mW(Ta),340mW(Tc)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:1.8nC @ 10V,3nC @ 10V

    输入电容:38pF @ 10V,43pF @ 10V

    连续漏极电流:700mA(Ta),700mA(Tc),400mA(Ta),500mA(Tc)

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:390毫欧 @ 700mA,4.5V,850毫欧 @ 400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6333C 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6333C 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6333C

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:282pF @ 15V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    类型:N 和 P 沟道

    栅极电荷:6.6nC @ 10V

    连续漏极电流:2.5A,2A

    导通电阻:95 毫欧 @ 2.5A,10V

    功率:700mW

    阈值电压:3V @ 250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    漏源电压:30V

    功率:830mW

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    类型:N 和 P 沟道

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHC5513T1G 起订4200个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHC5513T1G 起订4200个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHC5513T1G

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF @ 10V

    栅极电荷:4nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.9A,2.2A

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    类型:N 和 P 沟道

    功率:1.1W

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:80 毫欧 @ 2.9A,4.5V

    阈值电压:1.2V @ 250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4105CT2G 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4105CT2G 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:270mW

    栅极电荷:3nC @ 4.5V

    输入电容:46pF @ 20V

    导通电阻:375 毫欧 @ 630mA,4.5V

    漏源电压:20V,8V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    连续漏极电流:630mA,775mA

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    类型:N 和 P 沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧