采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1553CDL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€340mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V€43pF@10V
连续漏极电流：700mA€700mA€400mA€500mA
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1553CDL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€340mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V€43pF@10V
连续漏极电流：700mA€700mA€400mA€500mA
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHC5513T1G
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W
阈值电压：1.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF @ 10V
连续漏极电流：2.9A，2.2A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：80 毫欧 @ 2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1553CDL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€340mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V€43pF@10V
连续漏极电流：700mA€700mA€400mA€500mA
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1553CDL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€340mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V€43pF@10V
连续漏极电流：700mA€700mA€400mA€500mA
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6333C
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：700mW
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：6.6nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：282pF @ 15V
连续漏极电流：2.5A，2A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：95 毫欧 @ 2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5504BDC-T1-E3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.12W，3.1W
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：7nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF @ 15V
连续漏极电流：4A，3.7A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：65 毫欧 @ 3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3590DV-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：4.5nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A，1.7A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：77 毫欧 @ 3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW
阈值电压：1.2V @ 1.6µA
栅极电荷：0.34nC @ 4.5V
输入电容：47pF @ 10V
连续漏极电流：950mA，530mA
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：350 毫欧 @ 950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：40W
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：10.3nC @ 4.5V，9.5nC @ 4.5V
输入电容：1159pF @ 30V，930pF @ 30V
连续漏极电流：24A（Tc），18A（Tc）
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：34 毫欧 @ 5.4A，10V，68 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.12W，3.1W
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：7nC @ 10V
输入电容：220pF @ 15V
连续漏极电流：4A，3.7A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：65 毫欧 @ 3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.12W，3.1W
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：7nC @ 10V
输入电容：220pF @ 15V
连续漏极电流：4A，3.7A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：65 毫欧 @ 3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：290mW（Ta），340mW（Tc）
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：1.8nC @ 10V，3nC @ 10V
输入电容：38pF @ 10V，43pF @ 10V
连续漏极电流：700mA（Ta），700mA（Tc），400mA（Ta），500mA（Tc）
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：390毫欧 @ 700mA，4.5V，850毫欧 @ 400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：700mW
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：2.3nC @ 5V
输入电容：50pF @ 10V
连续漏极电流：680mA，460mA
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：450 毫欧 @ 500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：4.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：2.5A，1.7A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：77 毫欧 @ 3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：4.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：2.5A，1.7A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：77 毫欧 @ 3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.12W，3.1W
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：7nC @ 10V
输入电容：220pF @ 15V
连续漏极电流：4A，3.7A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：65 毫欧 @ 3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：4.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：2.5A，1.7A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：77 毫欧 @ 3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：4.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：2.5A，1.7A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：77 毫欧 @ 3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：4.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：2.5A，1.7A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：77 毫欧 @ 3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：4.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：2.5A，1.7A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：77 毫欧 @ 3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.12W，3.1W
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：7nC @ 10V
输入电容：220pF @ 15V
连续漏极电流：4A，3.7A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：65 毫欧 @ 3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：4.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：2.5A，1.7A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：77 毫欧 @ 3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：40W
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：10.3nC @ 4.5V，9.5nC @ 4.5V
输入电容：1159pF @ 30V，930pF @ 30V
连续漏极电流：24A（Tc），18A（Tc）
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：34 毫欧 @ 5.4A，10V，68 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：4.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：2.5A，1.7A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：77 毫欧 @ 3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：270mW
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：3nC @ 4.5V
输入电容：46pF @ 20V
连续漏极电流：630mA，775mA
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：375 毫欧 @ 630mA，4.5V
漏源电压：20V，8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：290mW（Ta），340mW（Tc）
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：1.8nC @ 10V，3nC @ 10V
输入电容：38pF @ 10V，43pF @ 10V
连续漏极电流：700mA（Ta），700mA（Tc），400mA（Ta），500mA（Tc）
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：390毫欧 @ 700mA，4.5V，850毫欧 @ 400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：40W
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：10.3nC @ 4.5V，9.5nC @ 4.5V
输入电容：1159pF @ 30V，930pF @ 30V
连续漏极电流：24A（Tc），18A（Tc）
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：34 毫欧 @ 5.4A，10V，68 毫欧 @ 4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：290mW（Ta），340mW（Tc）
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：1.8nC @ 10V，3nC @ 10V
输入电容：38pF @ 10V，43pF @ 10V
连续漏极电流：700mA（Ta），700mA（Tc），400mA（Ta），500mA（Tc）
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：390毫欧 @ 700mA，4.5V，850毫欧 @ 400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6333C
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：282pF @ 15V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 和 P 沟道
栅极电荷：6.6nC @ 10V
连续漏极电流：2.5A，2A
导通电阻：95 毫欧 @ 2.5A，10V
功率：700mW
阈值电压：3V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
