采购热线 400-661-9010
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTE32136C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.25V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2个N沟道
导通电阻：20mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3981}
包装规格(MPQ)：361psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HAT2218R-EL-E
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：8A€7.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：24mΩ@3.75A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8KA3TCR
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.5nC@10V
输入电容：640pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LDN2367T1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：6.3A
类型：2个N沟道
反向传输电容：100pF@10V
导通电阻：16mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LDN2367T1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：6.3A
类型：2个N沟道
反向传输电容：100pF@10V
导通电阻：16mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3981}
包装规格(MPQ)：361psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HAT2218R-EL-E
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：8A€7.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：24mΩ@3.75A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8KA3TCR
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.5nC@10V
输入电容：640pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8KA3TCR
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.5nC@10V
输入电容：640pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3981}
包装规格(MPQ)：361psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HAT2218R-EL-E
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：8A€7.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：24mΩ@3.75A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LDN2367T1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：6.3A
类型：2个N沟道
反向传输电容：100pF@10V
导通电阻：16mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：361psc
生产批次：{"18+"：3981}
规格型号(MPN)：HAT2218R-EL-E
连续漏极电流：8A€7.5A
漏源电压：30V
功率：1.5W
输入电容：630pF@10V
类型：2个N沟道
栅极电荷：4.6nC@4.5V
导通电阻：24mΩ@3.75A，10V
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS8205M
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：5A
类型：2个N沟道
导通电阻：23mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：361psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HAT2218R-EL-E
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：8A€7.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：24mΩ@3.75A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTE32136C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.25V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2个N沟道
导通电阻：20mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTE32136C
输入电容：660pF@10V
导通电阻：20mΩ@7A，4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1.25V@250μA
功率：1.5W
漏源电压：20V
栅极电荷：14nC@4.5V
连续漏极电流：7A
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CJL8810-ES
功率：1.5W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：15nC
输入电容：1.15nF
连续漏极电流：7.6A
类型：2个N沟道
反向传输电容：150pF
导通电阻：13.5mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CJL8810-ES
功率：1.5W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：15nC
输入电容：1.15nF
连续漏极电流：7.6A
类型：2个N沟道
反向传输电容：150pF
导通电阻：13.5mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CJL8810-ES
功率：1.5W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：15nC
输入电容：1.15nF
连续漏极电流：7.6A
类型：2个N沟道
反向传输电容：150pF
导通电阻：13.5mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8KA3TCR
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.5nC@10V
输入电容：640pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CJL8810-ES
功率：1.5W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：15nC
输入电容：1.15nF
连续漏极电流：7.6A
类型：2个N沟道
反向传输电容：150pF
导通电阻：13.5mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CJL8810-ES
功率：1.5W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：15nC
输入电容：1.15nF
连续漏极电流：7.6A
类型：2个N沟道
反向传输电容：150pF
导通电阻：13.5mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS8205M
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：5A
类型：2个N沟道
导通电阻：23mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS8205M
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：5A
类型：2个N沟道
导通电阻：23mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS8205M
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：5A
类型：2个N沟道
导通电阻：23mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LDN2367T1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：6.3A
类型：2个N沟道
反向传输电容：100pF@10V
导通电阻：16mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8822
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2个N沟道
导通电阻：18mΩ@10V，7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS8205M
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：5A
类型：2个N沟道
导通电阻：23mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8822
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2个N沟道
导通电阻：18mΩ@10V，7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTE32136C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.25V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2个N沟道
导通电阻：20mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
