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    类型: 2个N沟道
    行业应用: 工业
    阈值电压: 1.5V@250μA
    当前匹配商品:90+
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    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K_R1_00001 起订300个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K_R1_00001 起订300个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:236mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K_R1_00001 起订600个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K_R1_00001 起订600个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT138K_R1_00001

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    功率:236mW

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    连续漏极电流:360mA

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    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:236mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

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    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:360mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K_R1_00001 起订67个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K_R1_00001 起订67个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K_R1_00001 起订22个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K_R1_00001 起订22个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT138K_R1_00001

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    类型:2个N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT138K_R1_00001

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    ECCN:EAR99

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    连续漏极电流:360mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    杰盛微 Mosfet场效应管 8205A 起订200个装
    杰盛微 Mosfet场效应管 8205A 起订200个装

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    功率:2W

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 2N7002DW-7-F-ES 起订102个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 2N7002DW-7-F-ES 起订102个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DW-7-F-ES

    功率:200mW

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    类型:2个N沟道

    反向传输电容:4.1pF

    导通电阻:1.5Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 2N7002DW-7-F-ES 起订78个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 2N7002DW-7-F-ES 起订78个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DW-7-F-ES

    功率:200mW

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    栅极电荷:1.12nC

    输入电容:30.5pF

    连续漏极电流:300mA

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:4.1pF

    导通电阻:1.5Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 2N7002KDW 起订83个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 2N7002KDW 起订83个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KDW

    功率:200mW

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    类型:2个N沟道

    反向传输电容:4.1pF

    导通电阻:1.5Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 ESN4832 起订24个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 ESN4832 起订24个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ESN4832

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    栅极电荷:15nC

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    类型:2个N沟道

    反向传输电容:70pF

    导通电阻:11mΩ@10V,8.0A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 2N7002DW 起订84个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 2N7002DW 起订84个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DW

    功率:200mW

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    类型:2个N沟道

    反向传输电容:4.1pF

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 2N7002NXAKR 起订77个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 2N7002NXAKR 起订77个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002NXAKR

    功率:200mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.12nC

    输入电容:30.5pF

    连续漏极电流:300mA

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:4.1pF

    导通电阻:1.5Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K_R1_00001 起订53个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K_R1_00001 起订53个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:236mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K_R1_00001 起订54个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K_R1_00001 起订54个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:236mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K_R1_00001 起订900个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K_R1_00001 起订900个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:236mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K_R1_00001 起订77个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K_R1_00001 起订77个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:236mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K_R1_00001 起订16个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K_R1_00001 起订16个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:236mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    杰盛微 Mosfet场效应管 8205A 起订38个装
    杰盛微 Mosfet场效应管 8205A 起订38个装

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):8205A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:6.24nC@4.5V

    输入电容:522.3pF@8V

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:74.69pF@8V

    导通电阻:22mΩ@4.5V,4.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 ESN4832 起订100个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 ESN4832 起订100个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ESN4832

    功率:20W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:15nC

    输入电容:750pF

    连续漏极电流:35A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:70pF

    导通电阻:11mΩ@10V,8.0A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 L2N7002KDW1T1G-ES 起订113个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 L2N7002KDW1T1G-ES 起订113个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):L2N7002KDW1T1G-ES

    功率:200mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.12nC

    输入电容:30.5pF

    连续漏极电流:300mA

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:4.1pF

    导通电阻:1.5Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 2N7002DW 起订110个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 2N7002DW 起订110个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DW

    功率:200mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.12nC

    输入电容:30.5pF

    连续漏极电流:300mA

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:4.1pF

    导通电阻:1.5Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 ESN4832 起订18个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 ESN4832 起订18个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ESN4832

    功率:20W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:15nC

    输入电容:750pF

    连续漏极电流:35A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:70pF

    导通电阻:11mΩ@10V,8.0A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG5802LFX-7 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG5802LFX-7 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG5802LFX-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:980mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:31.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.0664nF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:15mΩ@4.5V,6.5A

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 2N7002DWH6327-ES 起订113个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 2N7002DWH6327-ES 起订113个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DWH6327-ES

    功率:200mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.12nC

    输入电容:30.5pF

    连续漏极电流:300mA

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:4.1pF

    导通电阻:1.5Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 2N7002BKS 起订94个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 2N7002BKS 起订94个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002BKS

    功率:200mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.12nC

    输入电容:30.5pF

    连续漏极电流:300mA

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:4.1pF

    导通电阻:1.5Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K_R1_00001 起订3000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K_R1_00001 起订3000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:236mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 L2N7002KDW1T1G-ES 起订94个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 L2N7002KDW1T1G-ES 起订94个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):L2N7002KDW1T1G-ES

    功率:200mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.12nC

    输入电容:30.5pF

    连续漏极电流:300mA

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:4.1pF

    导通电阻:1.5Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO4842 起订38个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO4842 起订38个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4842

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:7.2nC

    输入电容:373pF

    连续漏极电流:8A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:41pF

    导通电阻:15mΩ@10V,8.0A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 2N7002DW 起订1050个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 2N7002DW 起订1050个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DW

    功率:200mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:1.12nC

    输入电容:30.5pF

    连续漏极电流:300mA

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:4.1pF

    导通电阻:1.5Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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