品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":213000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0230DPA-00#J5A
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
输入电容:1.65nF@10V
连续漏极电流:20A€50A
类型:2个N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.65nF@10V
连续漏极电流:30.5A€60A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":3000,"16+":69000}
包装规格(MPQ):235psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0216DPA-00#J53
功率:20W€10W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:1.13nF@10V
连续漏极电流:15A€32A
类型:2个N沟道
导通电阻:9.2mΩ@7.5A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":3000,"16+":69000}
包装规格(MPQ):235psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0216DPA-00#J53
功率:20W€10W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:1.13nF@10V
连续漏极电流:15A€32A
类型:2个N沟道
导通电阻:9.2mΩ@7.5A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":213000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0230DPA-00#J5A
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栅极电荷:7.7nC@4.5V
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连续漏极电流:20A€50A
类型:2个N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.65nF@10V
连续漏极电流:30.5A€60A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":213000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0230DPA-00#J5A
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
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连续漏极电流:20A€50A
类型:2个N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
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库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":213000}
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规格型号(MPN):RJK0230DPA-00#J5A
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
输入电容:1.65nF@10V
连续漏极电流:20A€50A
类型:2个N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
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库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":213000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0230DPA-00#J5A
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
输入电容:1.65nF@10V
连续漏极电流:20A€50A
类型:2个N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":3000,"16+":69000}
包装规格(MPQ):235psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0216DPA-00#J53
功率:20W€10W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:1.13nF@10V
连续漏极电流:15A€32A
类型:2个N沟道
导通电阻:9.2mΩ@7.5A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":3000,"16+":69000}
包装规格(MPQ):235psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0216DPA-00#J53
功率:20W€10W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:1.13nF@10V
连续漏极电流:15A€32A
类型:2个N沟道
导通电阻:9.2mΩ@7.5A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":3000,"16+":69000}
包装规格(MPQ):235psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0216DPA-00#J53
功率:20W€10W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:1.13nF@10V
连续漏极电流:15A€32A
类型:2个N沟道
导通电阻:9.2mΩ@7.5A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.65nF@10V
连续漏极电流:30.5A€60A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF02DN-T1-GE3
阈值电压:2.3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:30.5A€60A
导通电阻:3.5mΩ@7A,10V
输入电容:2.65nF@10V
栅极电荷:56nC@10V
漏源电压:25V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"14+":213000}
规格型号(MPN):RJK0230DPA-00#J5A
连续漏极电流:20A€50A
输入电容:1.65nF@10V
漏源电压:25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
类型:2个N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):235psc
生产批次:{"14+":3000,"16+":69000}
规格型号(MPN):RJK0216DPA-00#J53
功率:20W€10W
漏源电压:25V
类型:2个N沟道
连续漏极电流:15A€32A
输入电容:1.13nF@10V
导通电阻:9.2mΩ@7.5A,10V
ECCN:EAR99
包装方式:散装
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.65nF@10V
连续漏极电流:30.5A€60A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.65nF@10V
连续漏极电流:30.5A€60A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.65nF@10V
连续漏极电流:30.5A€60A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6301UDW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:360pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:2个N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.65nF@10V
连续漏极电流:30.5A€60A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.65nF@10V
连续漏极电流:30.5A€60A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF02DN-T1-GE3
阈值电压:2.3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:30.5A€60A
导通电阻:3.5mΩ@7A,10V
输入电容:2.65nF@10V
栅极电荷:56nC@10V
漏源电压:25V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":4000}
规格型号(MPN):IRFH4253DTRPBF
包装方式:卷带(TR)
功率:31W€50W
漏源电压:25V
类型:2个N沟道
连续漏极电流:64A€145A
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:15nC@4.5V
ECCN:EAR99
输入电容:1.314nF@13V
阈值电压:2.1V@35μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:2.65nF@10V
连续漏极电流:30.5A€60A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: