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    反向传输电容
    连续漏极电流
    品牌: WILLSEMI
    类型: 2个N沟道
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:9
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNMD2167-6/TR 起订31个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNMD2167-6/TR 起订31个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNMD2167-6/TR

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:5.7A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:21mΩ@4.5V,6.3A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNMD2162-8/TR 起订23个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNMD2162-8/TR 起订23个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNMD2162-8/TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:700mV@250μA

    栅极电荷:18.9nC@4.5V

    输入电容:1.371nF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:172pF@10V

    导通电阻:14mΩ@4.5V,4.8A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNMD2176-6/TR 起订21个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNMD2176-6/TR 起订21个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNMD2176-6/TR

    功率:900mW

    阈值电压:780mV@250μA

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    输入电容:190pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:36pF@10V

    导通电阻:55mΩ@4.5V,2.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNMD2167-6/TR 起订22个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNMD2167-6/TR 起订22个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNMD2167-6/TR

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:5.7A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:21mΩ@4.5V,6.3A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNMD2167-6/TR 起订100个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNMD2167-6/TR 起订100个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNMD2167-6/TR

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:5.7A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:21mΩ@4.5V,6.3A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNMD2154-6/TR 起订49个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNMD2154-6/TR 起订49个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNMD2154-6/TR

    功率:300mW

    阈值电压:580mV@250μA

    栅极电荷:1.15nC@4.5V

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@10V

    导通电阻:220mΩ@4.5V,550mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNMD2167-6/TR 起订27个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNMD2167-6/TR 起订27个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNMD2167-6/TR

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:5.7A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:21mΩ@4.5V,6.3A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNMD2153-6/TR 起订31个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNMD2153-6/TR 起订31个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNMD2153-6/TR

    功率:310mW

    阈值电压:850mV@250μA

    连续漏极电流:810mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:310mΩ@4.5V,550mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNMD2167-6/TR 起订100个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNMD2167-6/TR 起订100个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNMD2167-6/TR

    导通电阻:21mΩ@4.5V,6.3A

    连续漏极电流:5.7A

    阈值电压:1V@250μA

    漏源电压:20V

    功率:900mW

    类型:2个N沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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