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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF906BDT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.5W€38W€5W€83W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@15V€5550pF@15V
连续漏极电流：36A€105A€63A€257A
类型：2个N通道（双），肖特基
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF906BDT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.5W€38W€5W€83W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@15V€5550pF@15V
连续漏极电流：36A€105A€63A€257A
类型：2个N通道（双），肖特基
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF906BDT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.5W€38W€5W€83W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@15V€5550pF@15V
连续漏极电流：36A€105A€63A€257A
类型：2个N通道（双），肖特基
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF906BDT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.5W€38W€5W€83W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@15V€5550pF@15V
连续漏极电流：36A€105A€63A€257A
类型：2个N通道（双），肖特基
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：485pF@15V
连续漏极电流：13A€15A
类型：2个N沟道
导通电阻：10.2mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：485pF@15V
连续漏极电流：13A€15A
类型：2个N沟道
导通电阻：10.2mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：485pF@15V
连续漏极电流：13A€15A
类型：2个N沟道
导通电阻：10.2mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
阈值电压：2.2V@250μA
功率：1.6W
漏源电压：100V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：13A€15A
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250μA
输入电容：485pF@15V
栅极电荷：11nC@10V
导通电阻：10.2mΩ@13A，10V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
阈值电压：2.2V@250μA
功率：1.6W
漏源电压：100V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
