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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5V，3.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5V，3.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5V，3.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5V，3.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：2个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5V，3.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：33W
阈值电压：2.2V@10μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：1.43nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2个N沟道
导通电阻：26mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5V，3.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
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阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5V，3.9A
漏源电压：60V
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栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5V，3.9A
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栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：2个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
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栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5V，3.9A
漏源电压：60V
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输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5V，3.9A
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：20A
导通电阻：26mΩ@17A，10V
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：1.43nF@25V
功率：33W
漏源电压：60V
阈值电压：2.2V@10μA
类型：2个N沟道
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：665pF@15V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：5.3A
功率：3.1W
栅极电荷：20nC@10V
导通电阻：72mΩ@4.5V，3.9A
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250μA
类型：2个N沟道
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销售单位：个
输入电容：665pF@15V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：5.3A
功率：3.1W
栅极电荷：20nC@10V
导通电阻：72mΩ@4.5V，3.9A
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250μA
类型：2个N沟道
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