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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8KC5TCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：2个N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8KC5TCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：2个N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8KC5TCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：2个N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G800N06S2
阈值电压：1.2V
连续漏极电流：3A
类型：2个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：1.1W
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栅极电荷：3.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：3A
类型：2个N沟道
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类型：2个N沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QH8KC5TCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：2个N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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功率：1.1W
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导通电阻：90mΩ@3A，10V
连续漏极电流：3A
类型：2个N沟道
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类型：2个N沟道
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行业应用：工业,汽车
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功率：1.1W
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栅极电荷：3.1nC@10V
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输入电容：135pF@30V
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类型：2个N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
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包装方式：卷带（TR）
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导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G800N06S2
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类型：2个N沟道
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行业应用：工业,汽车
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包装方式：卷带（TR）
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