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    连续漏极电流
    类型: 2个N沟道
    漏源电压: 60V
    功率: 350mW
    当前匹配商品:8
    商品信息
    参数
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    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRD7002K2 起订1个装
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRD7002K2 起订1个装

    品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BRD7002K2

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    连续漏极电流:320mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.7Ω@5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    信展通 Mosfet场效应管 2N7002KDW 起订189个装
    信展通 Mosfet场效应管 2N7002KDW 起订189个装

    品牌:信展通

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KDW

    功率:350mW

    连续漏极电流:340mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    信展通 Mosfet场效应管 2N7002KDW 起订111个装
    信展通 Mosfet场效应管 2N7002KDW 起订111个装

    品牌:信展通

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KDW

    功率:350mW

    连续漏极电流:340mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    信展通 Mosfet场效应管 2N7002KDW 起订168个装
    信展通 Mosfet场效应管 2N7002KDW 起订168个装

    品牌:信展通

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KDW

    功率:350mW

    连续漏极电流:340mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    信展通 Mosfet场效应管 2N7002KDW 起订1050个装
    信展通 Mosfet场效应管 2N7002KDW 起订1050个装

    品牌:信展通

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KDW

    功率:350mW

    连续漏极电流:340mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKV,115 起订数250个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKV,115 起订数250个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:350mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:340mA

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:4pF@10V

    导通电阻:1Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKV,115 起订数1000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKV,115 起订数1000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:350mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:340mA

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:4pF@10V

    导通电阻:1Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKV,115 起订数2000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKV,115 起订数2000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:350mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:340mA

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:4pF@10V

    导通电阻:1Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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