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    品牌: VISHAY
    类型: 2个N沟道
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-BE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-BE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW€510mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.4nC@10V

    输入电容:18.5pF@30V

    连续漏极电流:370mA€340mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.4Ω@340mA,10V

    漏源电压:60V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI9945BDY-T1-GE3 起订数7500个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

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    栅极电荷:20nC@10V

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    连续漏极电流:5.3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A

    漏源电压:60V

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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW€510mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.4nC@10V

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    连续漏极电流:370mA€340mA

    类型:2个N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

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    类型:2个N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI9945BDY-T1-GE3 起订数65000个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

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    功率:3.1W

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-BE3 起订数10个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

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    类型:2个N沟道

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-BE3 起订数100个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

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    类型:2个N沟道

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI9945BDY-T1-GE3 起订数10个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

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    类型:2个N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A

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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数10个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI9945BDY-T1-GE3 起订数100个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

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    漏源电压:60V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-BE3 起订数10个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW€510mW

    阈值电压:2.5V@250μA

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    输入电容:18.5pF@30V

    连续漏极电流:370mA€340mA

    类型:2个N沟道

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    漏源电压:60V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-E3 起订数10个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数100个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:3V@250μA

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    类型:2个N沟道

    导通电阻:41mΩ@10V,5.3A

    漏源电压:60V

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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI9945BDY-T1-GE3 起订数10个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

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    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

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    栅极电荷:20nC@10V

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    连续漏极电流:5.3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-E3 起订数1000个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:840pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:41mΩ@10V,5.3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI9945BDY-T1-GE3 起订数500个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

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    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

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    连续漏极电流:5.3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7220DN-T1-GE3 起订数1000个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:60mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7220DN-T1-GE3 起订数500个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:60mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI9945BDY-T1-GE3 起订数500个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI9945BDY-T1-GE3 起订数100个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数1000个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:840pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:41mΩ@10V,5.3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数7500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数7500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4946BEY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:41mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-BE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-BE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW€510mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.4nC@10V

    输入电容:18.5pF@30V

    连续漏极电流:370mA€340mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.4Ω@340mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-BE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-BE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW€510mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.4nC@10V

    输入电容:18.5pF@30V

    连续漏极电流:370mA€340mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.4Ω@340mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9945BDY-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9945BDY-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:840pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:41mΩ@10V,5.3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-E3 起订600个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-E3 起订600个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1926DL-T1-E3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:510mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18.5pF@30V

    连续漏极电流:370mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.4Ω@340mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ250DT-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ250DT-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ250DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:790pF@30V€840pF@30V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@10A,10V€12.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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