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    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B 起订数50000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B 起订数50000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:500mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:0.9 nC @ 4.5 V

    输入电容:64 pF @ 25 V

    连续漏极电流:320mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:2 欧姆 @ 100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN55D0UTQ-7 起订数1500个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN55D0UTQ-7 起订数1500个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:200mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    输入电容:25 pF @ 10 V

    连续漏极电流:160mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:4 欧姆 @ 100mA,4V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN55D0UTQ-7 起订数200个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN55D0UTQ-7 起订数200个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:200mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    输入电容:25 pF @ 10 V

    连续漏极电流:160mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:4 欧姆 @ 100mA,4V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3438_R1_00001 起订数1000个
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3438_R1_00001 起订数1000个

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:500mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:0.95 nC @ 4.5 V

    输入电容:36 pF @ 25 V

    连续漏极电流:500mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.45 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2W(Ta),3.5W(Tc)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:24 nC @ 8 V

    输入电容:860 pF @ 10 V

    连续漏极电流:8A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:27 毫欧 @ 5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订数50个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订数50个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:430mW(Tc)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:4.1 nC @ 4.5 V

    输入电容:140 pF @ 25 V

    连续漏极电流:440mA(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.41Ohm @ 2A,1.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:430mW(Tc)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:4.1 nC @ 4.5 V

    输入电容:140 pF @ 25 V

    连续漏极电流:440mA(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.41Ohm @ 2A,1.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3103TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3103TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3103TRPBF

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:107W(Tc)

    阈值电压:1V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600 pF @ 25 V

    连续漏极电流:55A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:19 毫欧 @ 33A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:900mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310 pF @ 10 V

    连续漏极电流:9.5A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:23 毫欧 @ 9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN55D0UTQ-7 起订数3000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN55D0UTQ-7 起订数3000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:200mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    输入电容:25 pF @ 10 V

    连续漏极电流:160mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:4 欧姆 @ 100mA,4V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3103TRPBF 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3103TRPBF 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3103TRPBF

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:107W(Tc)

    阈值电压:1V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600 pF @ 25 V

    连续漏极电流:55A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:19 毫欧 @ 33A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    阈值电压:1V @ 250µA

    输入电容:140 pF @ 25 V

    栅极电荷:4.1 nC @ 4.5 V

    功率:430mW(Tc)

    导通电阻:1.41Ohm @ 2A,1.5V

    漏源电压:60V

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    连续漏极电流:440mA(Tc)

    类型:N 通道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN55D0UTQ-7 起订数200个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN55D0UTQ-7 起订数200个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    阈值电压:1V @ 250µA

    导通电阻:4 欧姆 @ 100mA,4V

    漏源电压:50V

    连续漏极电流:160mA(Ta)

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    类型:N 通道

    功率:200mW(Ta)

    输入电容:25 pF @ 10 V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL3803PBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL3803PBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL3803PBF

    输入电容:5000 pF @ 25 V

    漏源电压:30V

    功率:200W(Tc)

    导通电阻:6 毫欧 @ 71A,10V

    连续漏极电流:140A(Tc)

    类型:N 通道

    阈值电压:1V @ 250µA

    包装方式:管件

    栅极电荷:140 nC @ 4.5 V

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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