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    ST Mosfet场效应管 STU12N60M2 起订数75个
    ST Mosfet场效应管 STU12N60M2 起订数75个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:85W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:16 nC @ 10 V

    输入电容:538 pF @ 100 V

    连续漏极电流:9A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:450 毫欧 @ 4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STU12N60M2 起订数250个
    ST Mosfet场效应管 STU12N60M2 起订数250个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:85W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:16 nC @ 10 V

    输入电容:538 pF @ 100 V

    连续漏极电流:9A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:450 毫欧 @ 4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM-WS 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM-WS 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),49W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    输入电容:670 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.8A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.5 欧姆 @ 1.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM-WS 起订数300个
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM-WS 起订数300个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),49W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    输入电容:670 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.8A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.5 欧姆 @ 1.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD7N60E-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD7N60E-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:78W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:40 nC @ 10 V

    输入电容:680 pF @ 100 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:600 毫欧 @ 3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF-BE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),42W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.4 欧姆 @ 1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL3NM60N 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STL3NM60N 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL3NM60N

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2W(Ta),22W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:9.5 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:188 pF @ 50 V

    连续漏极电流:650mA(Ta),2.2A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.8 欧姆 @ 1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB30N60E-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB30N60E-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:250W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:130 nC @ 10 V

    输入电容:2600 pF @ 100 V

    连续漏极电流:29A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:125 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM-WS 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM-WS 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),49W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    输入电容:670 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.8A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.5 欧姆 @ 1.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM-WS 起订数135个
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM-WS 起订数135个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),49W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    输入电容:670 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.8A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.5 欧姆 @ 1.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF-BE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF-BE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),42W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:18 nC @ 10 V

    输入电容:350 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.4 欧姆 @ 1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFUC20PBF 起订数2025个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFUC20PBF 起订数2025个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),42W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:18 nC @ 10 V

    输入电容:350 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.4 欧姆 @ 1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD7N60E-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD7N60E-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:78W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:40 nC @ 10 V

    输入电容:680 pF @ 100 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:600 毫欧 @ 3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF-BE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF-BE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),42W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:18 nC @ 10 V

    输入电容:350 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.4 欧姆 @ 1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL3NM60N 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STL3NM60N 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL3NM60N

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2W(Ta),22W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:9.5 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:188 pF @ 50 V

    连续漏极电流:650mA(Ta),2.2A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.8 欧姆 @ 1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2A(Tc)

    功率:2.5W(Ta),42W(Tc)

    输入电容:350 pF @ 25 V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    栅极电荷:18 nC @ 10 V

    类型:N 通道

    导通电阻:4.4 欧姆 @ 1.2A,10V

    漏源电压:600V

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB30N60E-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB30N60E-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    连续漏极电流:29A(Tc)

    输入电容:2600 pF @ 100 V

    漏源电压:600V

    栅极电荷:130 nC @ 10 V

    导通电阻:125 毫欧 @ 15A,10V

    功率:250W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    类型:N 通道

    包装清单:商品主体 * 1

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