品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:1.2V @ 250µA
栅极电荷:4.8 nC @ 10 V
输入电容:447 pF @ 15 V
连续漏极电流:1.9A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:70 毫欧 @ 1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:1.2V @ 250µA
栅极电荷:7.7 nC @ 10 V
输入电容:281 pF @ 10 V
连续漏极电流:3.5A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:42 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:350mW(Ta)
阈值电压:1.2V @ 250µA
栅极电荷:4.8 nC @ 10 V
输入电容:447 pF @ 15 V
连续漏极电流:1.9A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:70 毫欧 @ 1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3446T1G
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:1.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750 pF @ 10 V
连续漏极电流:2.5A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:45 毫欧 @ 5.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3446T1G
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:1.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750 pF @ 10 V
连续漏极电流:2.5A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:45 毫欧 @ 5.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3446T1G
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:1.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750 pF @ 10 V
连续漏极电流:2.5A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:45 毫欧 @ 5.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: