销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:7.3W(Ta),208W(Tc)
阈值电压:3.4V @ 250µA
栅极电荷:90 nC @ 10 V
输入电容:4600 pF @ 50 V
连续漏极电流:28A(Ta),85A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.6 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6290
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:7.3W(Ta),208W(Tc)
阈值电压:3.4V @ 250µA
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600 pF @ 50 V
连续漏极电流:28A(Ta),85A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.6 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2334
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:104W(Tc)
阈值电压:3.4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78 nC @ 7.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130 pF @ 30 V
连续漏极电流:100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6290
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:7.3W(Ta),208W(Tc)
阈值电压:3.4V @ 250µA
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600 pF @ 50 V
连续漏极电流:28A(Ta),85A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.6 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2334
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:104W(Tc)
阈值电压:3.4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78 nC @ 7.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130 pF @ 30 V
连续漏极电流:100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2334
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:104W(Tc)
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ECCN:EAR99
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导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2334
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:104W(Tc)
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ECCN:EAR99
栅极电荷:78 nC @ 7.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130 pF @ 30 V
连续漏极电流:100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2334
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:104W(Tc)
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ECCN:EAR99
栅极电荷:78 nC @ 7.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130 pF @ 30 V
连续漏极电流:100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6290
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:7.3W(Ta),208W(Tc)
阈值电压:3.4V @ 250µA
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600 pF @ 50 V
连续漏极电流:28A(Ta),85A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.6 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2334
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:104W(Tc)
阈值电压:3.4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78 nC @ 7.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130 pF @ 30 V
连续漏极电流:100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:2334
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:100A(Tc)
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:60V
类型:N 通道
功率:104W(Tc)
输入电容:5130 pF @ 30 V
栅极电荷:78 nC @ 7.5 V
阈值电压:3.4V @ 250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
生产批次:2334
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:100A(Tc)
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:60V
类型:N 通道
功率:104W(Tc)
输入电容:5130 pF @ 30 V
栅极电荷:78 nC @ 7.5 V
阈值电压:3.4V @ 250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: