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    onsemi Mosfet场效应管 FDD86326 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86326 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86326

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.1W(Ta),62W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035 pF @ 50 V

    连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86326 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86326 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86326

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.1W(Ta),62W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

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    输入电容:1035 pF @ 50 V

    连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86326 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86326 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86326

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.1W(Ta),62W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

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    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035 pF @ 50 V

    连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86326 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86326 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86326

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

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    阈值电压:4V @ 250µA

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    栅极电荷:19 nC @ 10 V

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    输入电容:1035 pF @ 50 V

    连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86326 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86326 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86326

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.1W(Ta),62W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035 pF @ 50 V

    连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86326 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86326 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86326

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.1W(Ta),62W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

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    栅极电荷:19 nC @ 10 V

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    输入电容:1035 pF @ 50 V

    连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86326 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86326 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86326

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.1W(Ta),62W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035 pF @ 50 V

    连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86326 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86326

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.1W(Ta),62W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035 pF @ 50 V

    连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD86326 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86326 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86326

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.1W(Ta),62W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035 pF @ 50 V

    连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86326 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86326 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86326

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.1W(Ta),62W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035 pF @ 50 V

    连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1445-H 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1445-H 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:150°C(TJ)

    功率:1W(Ta),35W(Tc)

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    输入电容:1030 pF @ 20 V

    连续漏极电流:17A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:111 毫欧 @ 8.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1445-H 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1445-H 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:150°C(TJ)

    功率:1W(Ta),35W(Tc)

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    输入电容:1030 pF @ 20 V

    连续漏极电流:17A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:111 毫欧 @ 8.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86326 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86326 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86326

    导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035 pF @ 50 V

    连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)

    漏源电压:80V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    类型:N 通道

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    功率:3.1W(Ta),62W(Tc)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM-WS 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM-WS 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),49W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    输入电容:670 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.8A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.5 欧姆 @ 1.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM-WS 起订数300个
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM-WS 起订数300个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),49W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    输入电容:670 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.8A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.5 欧姆 @ 1.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D23-40EX 起订数100个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D23-40EX 起订数100个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:2.3W(Ta),15W(Tc)

    阈值电压:2.7V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    输入电容:582 pF @ 20 V

    连续漏极电流:8A(Ta),19A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420PBF 起订数525个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420PBF 起订数525个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),42W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    输入电容:360 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.4A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3 欧姆 @ 1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM-WS 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM-WS 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),49W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    输入电容:670 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.8A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.5 欧姆 @ 1.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM-WS 起订数135个
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM-WS 起订数135个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),49W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    输入电容:670 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.8A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.5 欧姆 @ 1.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S2L20ATMA1 起订数100个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S2L20ATMA1 起订数100个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:60W(Tc)

    阈值电压:2V @ 23µA

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    输入电容:530 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:20 毫欧 @ 18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420PBF 起订数2025个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420PBF 起订数2025个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),42W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    输入电容:360 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.4A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3 欧姆 @ 1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420PBF 起订数5025个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420PBF 起订数5025个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),42W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    输入电容:360 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.4A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3 欧姆 @ 1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRLPBF 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRLPBF 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),42W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    输入电容:360 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.4A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3 欧姆 @ 1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S2L20ATMA1 起订数10个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S2L20ATMA1 起订数10个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:60W(Tc)

    阈值电压:2V @ 23µA

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    输入电容:530 pF @ 25 V

    连续漏极电流:30A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:20 毫欧 @ 18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRLPBF 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRLPBF 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),42W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    输入电容:360 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.4A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3 欧姆 @ 1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86581-F085 起订7500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86581-F085 起订7500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86581-F085

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:48.4W(Tj)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880 pF @ 30 V

    连续漏极电流:25A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:15 毫欧 @ 25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1818

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420PBF

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),42W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:360 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.4A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3 欧姆 @ 1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRLPBF 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRLPBF 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420TRLPBF

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),42W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.4A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3 欧姆 @ 1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

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