品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86326
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),62W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035 pF @ 50 V
连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86326
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),62W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035 pF @ 50 V
连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86326
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),62W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035 pF @ 50 V
连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86326
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),62W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035 pF @ 50 V
连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86326
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),62W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035 pF @ 50 V
连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86326
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),62W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035 pF @ 50 V
连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86326
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),62W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035 pF @ 50 V
连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86326
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),62W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035 pF @ 50 V
连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86326
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),62W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035 pF @ 50 V
连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86326
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),62W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035 pF @ 50 V
连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:1W(Ta),35W(Tc)
栅极电荷:19 nC @ 10 V
输入电容:1030 pF @ 20 V
连续漏极电流:17A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:111 毫欧 @ 8.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:1W(Ta),35W(Tc)
栅极电荷:19 nC @ 10 V
输入电容:1030 pF @ 20 V
连续漏极电流:17A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:111 毫欧 @ 8.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86326
导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035 pF @ 50 V
连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)
漏源电压:80V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
栅极电荷:19 nC @ 10 V
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
功率:3.1W(Ta),62W(Tc)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),49W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:19 nC @ 10 V
输入电容:670 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.8A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.5 欧姆 @ 1.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),49W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:19 nC @ 10 V
输入电容:670 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.8A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.5 欧姆 @ 1.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:2.3W(Ta),15W(Tc)
阈值电压:2.7V @ 250µA
栅极电荷:19 nC @ 10 V
输入电容:582 pF @ 20 V
连续漏极电流:8A(Ta),19A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:19 nC @ 10 V
输入电容:360 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.4A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3 欧姆 @ 1.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),49W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:19 nC @ 10 V
输入电容:670 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.8A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.5 欧姆 @ 1.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),49W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:19 nC @ 10 V
输入电容:670 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.8A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.5 欧姆 @ 1.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:60W(Tc)
阈值电压:2V @ 23µA
栅极电荷:19 nC @ 10 V
输入电容:530 pF @ 25 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:20 毫欧 @ 18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:19 nC @ 10 V
输入电容:360 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.4A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3 欧姆 @ 1.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:19 nC @ 10 V
输入电容:360 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.4A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3 欧姆 @ 1.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:19 nC @ 10 V
输入电容:360 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.4A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3 欧姆 @ 1.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:60W(Tc)
阈值电压:2V @ 23µA
栅极电荷:19 nC @ 10 V
输入电容:530 pF @ 25 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:20 毫欧 @ 18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:19 nC @ 10 V
输入电容:360 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.4A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3 欧姆 @ 1.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86581-F085
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:48.4W(Tj)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880 pF @ 30 V
连续漏极电流:25A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:15 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1818
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420PBF
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:360 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.4A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3 欧姆 @ 1.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420TRLPBF
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:19 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.4A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3 欧姆 @ 1.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: