品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8026S
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),41W(Tc)
阈值电压:3V @ 1mA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2280 pF @ 15 V
连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8026S
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),41W(Tc)
阈值电压:3V @ 1mA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2280 pF @ 15 V
连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8026S
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),41W(Tc)
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类型:N 通道
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漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8026S
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),41W(Tc)
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8026S
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),41W(Tc)
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漏源电压:30V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8026S
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8026S
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8026S
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),41W(Tc)
阈值电压:3V @ 1mA
ECCN:EAR99
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3000}
销售单位:个
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8026S
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),41W(Tc)
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类型:N 通道
导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8026S
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),41W(Tc)
阈值电压:3V @ 1mA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2280 pF @ 15 V
连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8026S
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),41W(Tc)
阈值电压:3V @ 1mA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2280 pF @ 15 V
连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8026S
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),41W(Tc)
阈值电压:3V @ 1mA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2280 pF @ 15 V
连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":3000}
规格型号(MPN):FDMS8026S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V
连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)
阈值电压:3V @ 1mA
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
输入电容:2280 pF @ 15 V
类型:N 通道
栅极电荷:37 nC @ 10 V
功率:2.5W(Ta),41W(Tc)
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8026S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V
连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)
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工作温度:-55°C~150°C(TJ)
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
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包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8026S
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连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)
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导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8026S
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),41W(Tc)
阈值电压:3V @ 1mA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2280 pF @ 15 V
连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:930mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
输入电容:1810 pF @ 20 V
连续漏极电流:11.5A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:57W(Tc)
阈值电压:3.6V @ 250µA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
输入电容:1710 pF @ 30 V
连续漏极电流:60A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.5 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:930mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
输入电容:1810 pF @ 20 V
连续漏极电流:11.5A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:930mW(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
输入电容:1810 pF @ 20 V
连续漏极电流:11.5A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:57W(Tc)
阈值电压:3.6V @ 250µA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
输入电容:1710 pF @ 30 V
连续漏极电流:60A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.5 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ186DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.5 毫欧 @ 15A,10V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:60V
类型:N 通道
功率:5W(Ta),57W(Tc)
阈值电压:3.6V @ 250µA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
输入电容:1710 pF @ 30 V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:23A(Ta),79.4A(Tc)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:930mW(Ta)
栅极电荷:37 nC @ 10 V
漏源电压:40V
连续漏极电流:11.5A(Ta)
导通电阻:12 毫欧 @ 14A,10V
输入电容:1810 pF @ 20 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
阈值电压:3V @ 250µA
类型:N 通道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.5 毫欧 @ 15A,10V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流:60A(Tc)
漏源电压:60V
类型:N 通道
功率:57W(Tc)
阈值电压:3.6V @ 250µA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
输入电容:1710 pF @ 30 V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8026S
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),41W(Tc)
阈值电压:3V @ 1mA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2280 pF @ 15 V
连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: