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    类型: N 通道
    栅极电荷: 37 nC @ 10 V
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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8026S 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8026S 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8026S

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),41W(Tc)

    阈值电压:3V @ 1mA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2280 pF @ 15 V

    连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8026S 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8026S

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),41W(Tc)

    阈值电压:3V @ 1mA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2280 pF @ 15 V

    连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8026S 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8026S

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),41W(Tc)

    阈值电压:3V @ 1mA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2280 pF @ 15 V

    连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8026S 起订1000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8026S

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),41W(Tc)

    阈值电压:3V @ 1mA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2280 pF @ 15 V

    连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8026S 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8026S

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),41W(Tc)

    阈值电压:3V @ 1mA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2280 pF @ 15 V

    连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V

    漏源电压:30V

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8026S 起订378个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8026S

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),41W(Tc)

    阈值电压:3V @ 1mA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2280 pF @ 15 V

    连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8026S 起订1个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8026S

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),41W(Tc)

    阈值电压:3V @ 1mA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2280 pF @ 15 V

    连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8026S 起订378个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8026S

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),41W(Tc)

    阈值电压:3V @ 1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2280 pF @ 15 V

    连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8026S 起订1000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8026S

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),41W(Tc)

    阈值电压:3V @ 1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2280 pF @ 15 V

    连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8026S 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8026S

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),41W(Tc)

    阈值电压:3V @ 1mA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2280 pF @ 15 V

    连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8026S 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8026S

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),41W(Tc)

    阈值电压:3V @ 1mA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2280 pF @ 15 V

    连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8026S 起订1000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8026S

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),41W(Tc)

    阈值电压:3V @ 1mA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2280 pF @ 15 V

    连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8026S 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8026S

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),41W(Tc)

    阈值电压:3V @ 1mA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2280 pF @ 15 V

    连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8026S 起订378个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"18+":3000}

    规格型号(MPN):FDMS8026S

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V

    连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)

    阈值电压:3V @ 1mA

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    输入电容:2280 pF @ 15 V

    类型:N 通道

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    功率:2.5W(Ta),41W(Tc)

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8026S 起订1000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8026S

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V

    连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)

    阈值电压:3V @ 1mA

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    输入电容:2280 pF @ 15 V

    类型:N 通道

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    功率:2.5W(Ta),41W(Tc)

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8026S 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8026S

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V

    连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)

    阈值电压:3V @ 1mA

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    输入电容:2280 pF @ 15 V

    类型:N 通道

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    功率:2.5W(Ta),41W(Tc)

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8026S 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8026S

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V

    连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)

    阈值电压:3V @ 1mA

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    输入电容:2280 pF @ 15 V

    类型:N 通道

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    功率:2.5W(Ta),41W(Tc)

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8026S 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8026S

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),41W(Tc)

    阈值电压:3V @ 1mA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2280 pF @ 15 V

    连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8026S 起订1000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8026S

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),41W(Tc)

    阈值电压:3V @ 1mA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2280 pF @ 15 V

    连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:930mW(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    输入电容:1810 pF @ 20 V

    连续漏极电流:11.5A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:12 毫欧 @ 14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26DN-T1-GE3 起订数1000个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:57W(Tc)

    阈值电压:3.6V @ 250µA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    输入电容:1710 pF @ 30 V

    连续漏极电流:60A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.5 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订数2000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订数2000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:930mW(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    输入电容:1810 pF @ 20 V

    连续漏极电流:11.5A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:12 毫欧 @ 14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:930mW(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    输入电容:1810 pF @ 20 V

    连续漏极电流:11.5A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:12 毫欧 @ 14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26DN-T1-GE3 起订数5000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26DN-T1-GE3 起订数5000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:57W(Tc)

    阈值电压:3.6V @ 250µA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    输入电容:1710 pF @ 30 V

    连续漏极电流:60A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.5 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ186DP-T1-GE3 起订12000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ186DP-T1-GE3 起订12000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ186DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:4.5 毫欧 @ 15A,10V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    漏源电压:60V

    类型:N 通道

    功率:5W(Ta),57W(Tc)

    阈值电压:3.6V @ 250µA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    输入电容:1710 pF @ 30 V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:23A(Ta),79.4A(Tc)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订数2000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订数2000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:930mW(Ta)

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    漏源电压:40V

    连续漏极电流:11.5A(Ta)

    导通电阻:12 毫欧 @ 14A,10V

    输入电容:1810 pF @ 20 V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    阈值电压:3V @ 250µA

    类型:N 通道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26DN-T1-GE3 起订18000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26DN-T1-GE3 起订18000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS26DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:4.5 毫欧 @ 15A,10V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    连续漏极电流:60A(Tc)

    漏源电压:60V

    类型:N 通道

    功率:57W(Tc)

    阈值电压:3.6V @ 250µA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    输入电容:1710 pF @ 30 V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8026S 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8026S 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8026S

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),41W(Tc)

    阈值电压:3V @ 1mA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2280 pF @ 15 V

    连续漏极电流:19A(Ta),22A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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