品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:164W(Tc)
阈值电压:4V @ 800µA
栅极电荷:67 nC @ 10 V
输入电容:2895 pF @ 400 V
连续漏极电流:48A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:60 毫欧 @ 15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
功率:189W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 760µA
栅极电荷:67 nC @ 10 V
输入电容:2721 pF @ 400 V
连续漏极电流:33A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:75 毫欧 @ 15.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
功率:189W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 760µA
栅极电荷:67 nC @ 10 V
输入电容:2721 pF @ 400 V
连续漏极电流:33A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:75 毫欧 @ 15.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:67 nC @ 10 V
输入电容:4224 pF @ 20 V
连续漏极电流:170A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.4 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:67 nC @ 10 V
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
导通电阻:75 毫欧 @ 15.1A,10V
漏源电压:600V
输入电容:2721 pF @ 400 V
功率:189W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 760µA
连续漏极电流:33A(Tc)
类型:N 通道
包装清单:商品主体 * 1
库存: