品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
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类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":12250,"23+":7200,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
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导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
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ECCN:EAR99
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类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
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导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
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类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
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类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:150W(Tc)
阈值电压:3.5V @ 250µA
栅极电荷:90 nC @ 10 V
输入电容:6600 pF @ 25 V
连续漏极电流:100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.9 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":12250,"23+":7200,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":12250,"23+":7200,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":12250,"23+":7200,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:7.3W(Ta),208W(Tc)
阈值电压:3.4V @ 250µA
栅极电荷:90 nC @ 10 V
输入电容:4600 pF @ 50 V
连续漏极电流:28A(Ta),85A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.6 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:150W(Tc)
阈值电压:3.5V @ 250µA
栅极电荷:90 nC @ 10 V
输入电容:6600 pF @ 25 V
连续漏极电流:100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.9 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:6600 pF @ 25 V
连续漏极电流:100A(Tc)
栅极电荷:90 nC @ 10 V
导通电阻:3.9 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:60V
功率:150W(Tc)
阈值电压:3.5V @ 250µA
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
类型:N 通道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:167W(Tc)
阈值电压:3.8V @ 108µA
栅极电荷:90 nC @ 10 V
输入电容:6370 pF @ 40 V
连续漏极电流:165A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.9 毫欧 @ 80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: