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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：4V @ 240µA
栅极电荷：14.5 nC @ 10 V
输入电容：380 pF @ 300 V
连续漏极电流：7A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：560 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：4V @ 240µA
栅极电荷：14.5 nC @ 10 V
输入电容：380 pF @ 300 V
连续漏极电流：7A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：560 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：4V @ 240µA
栅极电荷：14.5 nC @ 10 V
输入电容：380 pF @ 300 V
连续漏极电流：7A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：560 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：4V @ 240µA
栅极电荷：14.5 nC @ 10 V
输入电容：380 pF @ 300 V
连续漏极电流：7A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：560 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：4V @ 240µA
栅极电荷：14.5 nC @ 10 V
输入电容：380 pF @ 300 V
连续漏极电流：7A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：560 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：4V @ 240µA
栅极电荷：14.5 nC @ 10 V
输入电容：380 pF @ 300 V
连续漏极电流：7A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：560 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：650V
阈值电压：4V @ 240µA
连续漏极电流：7A（Tc）
工作温度：150°C（TJ）
栅极电荷：14.5 nC @ 10 V
输入电容：380 pF @ 300 V
导通电阻：560 毫欧 @ 3.5A，10V
类型：N 通道
功率：60W（Tc）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
阈值电压：2.7V @ 250µA
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：14.5 nC @ 10 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
连续漏极电流：60A（Tc）
漏源电压：60V
类型：N 通道
功率：66W（Tc）
输入电容：1150 pF @ 30 V
导通电阻：9.9 毫欧 @ 12A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
