采购热线 400-661-9010
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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阈值电压：2.5V @ 250µA
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类型：N 通道
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功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
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类型：N 通道
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类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
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导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
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导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
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功率：350mW（Ta）
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导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
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漏源电压：60V
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工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
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栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
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连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
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输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
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类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
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工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
连续漏极电流：340mA（Ta）
漏源电压：60V
类型：N 通道
输入电容：18 pF @ 30 V
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
连续漏极电流：340mA（Ta）
漏源电压：60V
类型：N 通道
输入电容：18 pF @ 30 V
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
连续漏极电流：340mA（Ta）
漏源电压：60V
类型：N 通道
输入电容：18 pF @ 30 V
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：360mW（Ta）
阈值电压：1.5V @ 1mA
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
输入电容：27 pF @ 25 V
连续漏极电流：220mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：3.5 欧姆 @ 220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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