品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:40W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:15 nC @ 10 V
输入电容:650 pF @ 25 V
连续漏极电流:3A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2 欧姆 @ 1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF5N50T
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:28W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:15 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:640 pF @ 25 V
连续漏极电流:5A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.4 欧姆 @ 2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:48W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:56 nC @ 10 V
输入电容:2096 pF @ 25 V
连续漏极电流:10A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:610 毫欧 @ 5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF5N50T
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:28W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:15 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:640 pF @ 25 V
连续漏极电流:5A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.4 欧姆 @ 2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP22N50N
漏源电压:500V
输入电容:3200 pF @ 25 V
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
类型:N 通道
包装方式:管件
连续漏极电流:22A(Tc)
ECCN:EAR99
功率:312.5W(Tc)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQN1N50CTA
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:890mW(Ta),2.08W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.4 nC @ 10 V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:195 pF @ 25 V
连续漏极电流:380mA(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:6 欧姆 @ 190mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP22N50N
漏源电压:500V
输入电容:3200 pF @ 25 V
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
类型:N 通道
包装方式:管件
连续漏极电流:22A(Tc)
ECCN:EAR99
功率:312.5W(Tc)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N50FTM
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:89W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:19.8 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960 pF @ 25 V
连续漏极电流:5.5A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.15 欧姆 @ 2.75A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:40W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:15 nC @ 10 V
输入电容:650 pF @ 25 V
连续漏极电流:3.5A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.55 欧姆 @ 1.75A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:40W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:15 nC @ 10 V
输入电容:650 pF @ 25 V
连续漏极电流:3.5A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.55 欧姆 @ 1.75A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:40W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:15 nC @ 10 V
输入电容:650 pF @ 25 V
连续漏极电流:3.5A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.55 欧姆 @ 1.75A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:40W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:15 nC @ 10 V
输入电容:650 pF @ 25 V
连续漏极电流:3.5A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.55 欧姆 @ 1.75A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:30W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:12 nC @ 10 V
输入电容:440 pF @ 25 V
连续漏极电流:4.5A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.5 欧姆 @ 2.25A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:30W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:12 nC @ 10 V
输入电容:440 pF @ 25 V
连续漏极电流:4.5A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.5 欧姆 @ 2.25A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:40W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:15 nC @ 10 V
输入电容:650 pF @ 25 V
连续漏极电流:3.5A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.55 欧姆 @ 1.75A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP22N50N
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312.5W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3200 pF @ 25 V
连续漏极电流:22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:220 毫欧 @ 11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:40W(Tc)
漏源电压:500V
阈值电压:5V @ 250µA
输入电容:650 pF @ 25 V
连续漏极电流:3.5A(Tc)
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
导通电阻:1.55 欧姆 @ 1.75A,10V
类型:N 通道
栅极电荷:15 nC @ 10 V
包装清单:商品主体 * 1
库存: