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    类型: N 通道
    漏源电压: 1700V
    工作温度: -55°C~175°C(TJ)
    当前匹配商品:7
    商品信息
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    UnitedSiC Mosfet场效应管 UF3C170400K3S 起订数250个
    UnitedSiC Mosfet场效应管 UF3C170400K3S 起订数250个

    品牌:UnitedSiC

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:100W(Tc)

    阈值电压:6V @ 10mA

    栅极电荷:27.5 nC @ 15 V

    输入电容:740 pF @ 100 V

    连续漏极电流:7.6A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:515毫欧 @ 5A,12V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17J 起订数1000个
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17J 起订数1000个

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:54W(Tc)

    阈值电压:4V @ 2mA

    输入电容:139 pF @ 1000 V

    连续漏极电流:3A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.2 欧姆 @ 2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UnitedSiC Mosfet场效应管 UF3C170400K3S 起订数25个
    UnitedSiC Mosfet场效应管 UF3C170400K3S 起订数25个

    品牌:UnitedSiC

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:100W(Tc)

    阈值电压:6V @ 10mA

    栅极电荷:27.5 nC @ 15 V

    输入电容:740 pF @ 100 V

    连续漏极电流:7.6A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:515毫欧 @ 5A,12V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UnitedSiC Mosfet场效应管 UF3C170400K3S 起订数500个
    UnitedSiC Mosfet场效应管 UF3C170400K3S 起订数500个

    品牌:UnitedSiC

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:100W(Tc)

    阈值电压:6V @ 10mA

    栅极电荷:27.5 nC @ 15 V

    输入电容:740 pF @ 100 V

    连续漏极电流:7.6A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:515毫欧 @ 5A,12V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UnitedSiC Mosfet场效应管 UF3C170400K3S 起订数100个
    UnitedSiC Mosfet场效应管 UF3C170400K3S 起订数100个

    品牌:UnitedSiC

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:100W(Tc)

    阈值电压:6V @ 10mA

    栅极电荷:27.5 nC @ 15 V

    输入电容:740 pF @ 100 V

    连续漏极电流:7.6A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:515毫欧 @ 5A,12V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17J 起订数500个
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17J 起订数500个

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:54W(Tc)

    阈值电压:4V @ 2mA

    输入电容:139 pF @ 1000 V

    连续漏极电流:3A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.2 欧姆 @ 2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订数10个
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订数10个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    连续漏极电流:81A(Tc)

    栅极电荷:200 nC @ 20 V

    功率:535W(Tc)

    阈值电压:4.3V @ 20mA

    导通电阻:40 毫欧 @ 60A,20V

    输入电容:4230 pF @ 800 V

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    类型:N 通道

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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