品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2312
销售单位:个
规格型号(MPN):STL120N4F6AG
工作温度:175°C(TJ)
功率:96W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.6 毫欧 @ 13A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2312
销售单位:个
规格型号(MPN):STL120N4F6AG
工作温度:175°C(TJ)
功率:96W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.6 毫欧 @ 13A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2312
销售单位:个
规格型号(MPN):STL120N4F6AG
工作温度:175°C(TJ)
功率:96W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.6 毫欧 @ 13A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2312
销售单位:个
规格型号(MPN):STL120N4F6AG
工作温度:175°C(TJ)
功率:96W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.6 毫欧 @ 13A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L045N065SC1
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:187W(Tc)
阈值电压:4.3V @ 8mA
栅极电荷:105 nC @ 18 V
包装方式:管件
输入电容:1870 pF @ 325 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L045N065SC1
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:187W(Tc)
阈值电压:4.3V @ 8mA
栅极电荷:105 nC @ 18 V
包装方式:管件
输入电容:1870 pF @ 325 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2312
销售单位:个
规格型号(MPN):STL120N4F6AG
工作温度:175°C(TJ)
功率:96W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.6 毫欧 @ 13A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 1mA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
输入电容:2107 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:15 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 1mA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
输入电容:2107 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:15 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3103TRPBF
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:107W(Tc)
阈值电压:1V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:19 毫欧 @ 33A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2312
销售单位:个
规格型号(MPN):STL120N4F6AG
工作温度:175°C(TJ)
功率:96W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.6 毫欧 @ 13A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L045N065SC1
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:187W(Tc)
阈值电压:4.3V @ 8mA
栅极电荷:105 nC @ 18 V
包装方式:管件
输入电容:1870 pF @ 325 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:175°C(TJ)
功率:262W(Tc)
阈值电压:5.6V @ 10mA
栅极电荷:107 nC @ 18 V
输入电容:1337 pF @ 800 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:52 毫欧 @ 20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3103TRPBF
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:107W(Tc)
阈值电压:1V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:19 毫欧 @ 33A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2312
销售单位:个
规格型号(MPN):STL120N4F6AG
工作温度:175°C(TJ)
功率:96W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3.6 毫欧 @ 13A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: